[发明专利]基板载置台及其制造方法、基板处理装置、流体供给机构有效
| 申请号: | 200710154402.7 | 申请日: | 2007-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN101207061A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
| 发明(设计)人: | 上田雄大;小林义之;大桥薰 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/458;C23C16/44;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板载置台 及其 制造 方法 处理 装置 流体 供给 机构 | ||
1.一种基板载置台,其特征在于,具备板状部件,该板状部件具有:载置有基板的载置面;在所述载置面上开口并且向该载置面与所述基板之间供给气体的多个气体喷出孔;和用于向所述气体喷出孔供给气体的气体供给通路,并且所述基板载置台设置有覆盖所述载置面的陶瓷喷镀层,
至少与所述气体喷出孔相对的部位的所述气体供给通路的内壁形成为曲面状。
2.如权利要求1所述的基板载置台,其特征在于,所述气体供给通路被多个所述气体喷出孔共有。
3.如权利要求所述2的基板载置台,其特征在于,所述板状部件通过焊接具有所述气体喷出孔的第一板状部件、和具有底部为曲面状的槽的第二板状部件而构成。
4.如权利要求所述3的基板载置台,其特征在于,在所述第二板状部件上设置有用于将气体供给所述气体供给通路内的气体供给孔、和用于供给或排出用于清洁所述气体供给通路内的流体的清洁用孔。
5.如权利要求1~4中任一项所述的基板载置台,其特征在于,所述板状部件由铝构成,在所述气体供给通路内形成有阳极氧化膜。
6.一种基板载置台的制造方法,其特征在于,所述基板载置台具备板状部件,该板状部件具有:载置有基板的载置面;在所述载置面上开口并且向该载置面与所述基板之间供给气体的多个气体喷出孔;和用于向所述气体喷出孔供给气体的气体供给通路,并且所述基板载置台设置有覆盖所述载置面的陶瓷喷镀层,
该方法包括:形成至少与所述气体喷出孔相对部位的所述气体供给通路的内壁为曲面状的所述板状部件的工序;
一边从所述气体喷出孔喷出气体一边在所述板状部件的所述载置面上形成陶瓷喷镀层的工序;和
对所述气体供给通路内部进行清洁的工序。
7.如权利要求6所述的基板载置台的制造方法,其特征在于,所述气体供给通路被多个所述气体喷出孔共有。
8.如权利要求7所述的基板载置台的制造方法,其特征在于,所述板状部件通过焊接具有所述气体喷出孔的第一板状部件、和具有底部为曲面状的槽的第二板状部件而形成。
9.如权利要求8所述的基板载置台的制造方法,其特征在于,使用设置于所述第二板状部件的气体供给孔和设置于所述第二板状部件的清洁用孔,向所述气体供给通路的内部供给和排出清洁用流体而进行清洁。
10.如权利要求6~9中任一项所述的基板载置台的制造方法,其特征在于,所述板状部件由铝构成,该方法包括在形成陶瓷喷镀层的工序之前,在所述气体供给通路内形成阳极氧化膜的工序。
11.一种基板处理装置,其特征在于,具备容纳基板并对其进行处理的处理腔室,在所述处理腔室内配设有权利要求1~5中任一项所述的基板载置台。
12.一种流体供给机构,其特征在于,具有板状部件,该板状部件通过焊接具备多个流体喷出孔的第一板状部件、和具备形成被多个所述流体喷出孔共有并向该流体喷出孔供给流体的流体供给通路的槽的第二板状部件而构成,在所述第一板状部件的表面形成有陶瓷喷镀膜层,
所述槽的底部形成为曲面状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





