[发明专利]输出驱动器电路和具有该电路的半导体存储器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2006年9月1 5日向韩国专利局提交的韩国专利申请第P2006-0089647号的外国优先权，其公开内容在此以引入方式整体并入。

技术领域

本公开一般涉及半导体存储器件，尤其涉及具有输出驱动器电路的半导体存储器件。

背景技术

在传统存储器件中，随着存储器件的容量的增加，要输入和输出的数据量也会增加。因此，可能需要更多的输入和/或输出管脚。此外，由于现代系统需要越来越快的存储器件，所以，在较慢的器件上，切换噪声(switching noise)增大了。

如图1中所示，作为背景技术展示了半导体存储器件的输出驱动器电路，并用附图标记100予以整体标记。所述输出驱动器电路100包括连接到DATA信号线的DQ PIN端子、连接在DATA信号线和相对高电压电平VDDQ之间的PMOS上拉晶体管MP1以及连接在DATA信号线和相对低电压电平VSSQ之间的NMOS下拉晶体管MN1。所述上拉晶体管MP1的栅极端连接到DATA UP信号线，而所述下拉晶体管MN1的栅极端连接到DATA DN信号线。

在所述驱动器电路100的工作过程中，NMOS晶体管和PMOS晶体管响应于输入信号DATA UP或DATA DN而将信号DQ从逻辑“低”切换到逻辑“高”，或从逻辑“高”切换到逻辑“低”。不幸的是，在切换操作期间，在输出信号路径上出现了切换噪声。进一步，由于用于高速存储器件的输出驱动器以高速工作，所以切换噪声在VDDQ/VSSQ线上与速度成比例地增加。此外，由于VDDQ/VSSQ线向输出驱动器供电，所以随着切换噪声增加，输出信号发生失真并且出现诸如抖动、偏斜和/或偏斜率之类的变化。

发明内容

这些以及其它问题通过一种输出驱动器电路和具有所述输出驱动器电路的半导体存储器件来解决。提供了示范性实施例。

示范性输出驱动器包括：两个晶体管，所述两个晶体管的漏极共同连接在一起，并且所述两个晶体管的两个源极中的每一个连接到单独的电源节点；以及连接到每个源极的去耦合电容器。

另一示范性输出驱动器还包括连接到两个晶体管的漏极并且连接到第三电源节点的第三晶体管。再一个示范性输出驱动器包括连接到两个晶体管的源极的单独电源节点，所述单独电源节点适于连接到公共电源。仍一个示范性输出驱动器包括连接到两个晶体管的源极的单独电源节点，所述单独电源节点适于连接到公共电源，其中所述第三电源节点适于连接到第二电源。在又一个示范性输出驱动器中，两个晶体管是PMOS晶体管。在另一个示范性输出驱动器中，第三晶体管是NMOS晶体管。在仍然另一个示范性输出驱动器中，所述公共电源提供比所述第二电源更高的正电压。在另一个示范性输出驱动器中，所述两个晶体管是NMOS晶体管。

另一个示范性输出驱动器电路包括：多个相连的驱动器，每个驱动器具有连接到第二类型的晶体管的第一类型的晶体管，用于在其间提供输出驱动信号；以及至少一个去耦合电容器，所述输出驱动器电路包括适于连接到第一电源电压的多个第一电源电压节点和适于连接到第二电源电压的多个第二电源电压节点，并且在每个奇数驱动器上，第一类型的晶体管由在与第二类型的晶体管的连接处共同连接、但是分别连接到不同的第一电源电压节点的两个晶体管组成。