[发明专利]输出驱动器电路和具有该电路的半导体存储器件无效
申请号: | 200710154313.2 | 申请日: | 2007-09-17 |
公开(公告)号: | CN101145388A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 郑有喆 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/16 | 分类号: | G11C7/16;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽;钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 驱动器 电路 具有 半导体 存储 器件 | ||
1.一种输出驱动器,包括:
两个晶体管,所述两个晶体管的漏极共同连接到一起并且所述两个晶体管的两个源极的每一个连接到单独电源节点;以及
连接到每个源极的去耦合电容器。
2.如权利要求1所述的驱动器,还包括连接到所述两个晶体管的漏极并且连接到第三电源节点的第三晶体管。
3.如权利要求1所述的驱动器,其中连接到所述两个晶体管的所述源极的单独电源节点适于被连接到公共电源。
4.如权利要求2所述的驱动器,其中连接到所述两个晶体管的所述源极的单独电源节点适于被连接到公共电源,并且所述第三电源节点适于被连接到第二电源。
5.如权利要求1所述的驱动器,其中所述两个晶体管是PMOS晶体管。
6.如权利要求2所述的驱动器,其中所述第三晶体管是NMOS晶体管。
7.如权利要求4所述的驱动器,其中所述公共电源提供比所述第二电源更高的正电压。
8.如权利要求1所述的驱动器,其中所述两个晶体管是NMOS晶体管。
9.一种输出驱动器电路,其具有多个相连的驱动器,每个驱动器具有:连接到第二类型的晶体管的第一类型的晶体管,用于在其间提供输出驱动信号;以及至少一个去耦合电容器,所述输出驱动器电路包括:
适于连接到第一电源电压的多个第一电源电压节点和适于连接到第二电源电压的多个第二电源电压节点;以及
在每个奇数驱动器上,所述第一类型的晶体管由在与所述第二类型的晶体管的连接处公共相连、但是分别连接到不同的第一电源电压节点的两个晶体管组成。
10.如权利要求9所述的电路,其中在每个偶数驱动器上,所述第二类型的晶体管由在与所述第一类型的晶体管的连接处公共相连、但是分别地连接到不同的第二电源电压节点的两个晶体管组成。
11.如权利要求9所述的电路,其中所述第一类型的晶体管是PMOS,而所述第二类型的晶体管是NMOS。
12.如权利要求9所述的电路,其中每个驱动器包括两个去耦合电容器,一个在上游,一个在下游。
13.如权利要求9所述的电路,其中在每个奇数驱动器上的两个晶体管的每一个晶体管的尺寸大约是所述第一类型的晶体管的尺寸的一半。
14.如权利要求10所述的电路,其中在每个偶数驱动器上的两个晶体管的每一个晶体管的尺寸大约是所述第二类型的晶体管的尺寸的一半。
15.如权利要求9所述的电路,其中组成所述第一类型的晶体管的两个晶体管中的一个晶体管连接到与所述奇数驱动器的下游连接的第一电源电压节点,而所述两个晶体管中的另一个晶体管连接到与所述奇数驱动器的上游连接的第一电源电压节点。
16.如权利要求10所述的电路,其中组成所述第二类型的晶体管的两个晶体管中的一个晶体管连接到与所述偶数驱动器的下游连接的第二电源电压节点,而所述两个晶体管中的另一个晶体管连接到与所述偶数驱动器的上游连接的第二电源电压节点。
17.如权利要求9所述的电路,其中所述两个晶体管的合计电流驱动与所述第一类型的晶体管的电流驱动相同。
18.如权利要求9所述的电路,其中第一电源电压节点连接到每个奇数驱动器的下游,而第二电源电压节点连接到每个偶数驱动器的下游。
19.一种驱动半导体存储器件的输出的方法,所述方法包括:
对连接到一对第二类型的晶体管的第一类型的晶体管进行切换,以在其间提供输出驱动信号;
利用与第一类型的晶体管和一对第二晶体管实质上并联连接的至少一个电容器来去耦合所述输出驱动信号;以及
通过设置多个电源电压节点来减小切换噪声,所述多个电源电压节点的每一个适于连接到所述一对第二类型的晶体管中的一个。
20.如权利要求19所述的方法,还包括:
对连接到第二类型的晶体管的一对第一类型的晶体管进行切换,以在其间提供输出驱动信号;
利用与所述一对第一晶体管和第二晶体管实质上并联连接的至少一个电容器来去耦合所述输出驱动信号;以及
通过设置多个电源电压节点来减小切换噪声,所述多个电源电压节点的每一个适于连接到所述一对第一类型的晶体管中的一个。
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