[发明专利]超低介电常数介电层及其形成方法有效
| 申请号： | 200710154311.3 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393865A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 陈美玲;宋述仁;黄建中 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋 莉;贾静环 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电常数 介电层 及其 形成 方法 | ||
1.一种超低介电常数介电层的形成方法，包括：
以介电基质进行沉积过程，在进行该沉积过程中通过梯度变温程序的调控，使该介电基质反应，以在基底的介电阻挡层上形成具有密度梯度的多层多孔性低介电常数介电层。
2.如权利要求1的超低介电常数介电层的形成方法，其中该梯度变温程序包括两个温度阶段，其包括低温阶段与高温阶段。
3.如权利要求2的超低介电常数介电层的形成方法，其中该低温阶段的温度在200至250摄氏度之间；该高温阶段的温度在250至350摄氏度之间。
4.如权利要求2的超低介电常数介电层的形成方法，其中该梯度变温程序是先进行该高温阶段，再进行该低温阶段，以减少该超低介电常数介电层与上方层之间的扭结现象。
5.如权利要求2的超低介电常数介电层的形成方法，其中该梯度变温程序是先进行该低温阶段，再进行该高温阶段，以提升元件的击穿电压。
6.如权利要求1的超低介电常数介电层的形成方法，其中该梯度变温程序包括三个温度阶段。
7.如权利要求6的超低介电常数介电层的形成方法，其中上述三个温度阶段依序包括第一低温阶段、高温阶段与第二低温阶段，以减少所形成的该多孔性低介电常数介电层的应力。
8.如权利要求7的超低介电常数介电层的形成方法，其中该第一与该第二低温阶段的温度在200至230摄氏度之间；该高温阶段的温度在230至400摄氏度之间。
9.如权利要求1的超低介电常数介电层的形成方法，其中在进行该沉积过程时是使用单频射频电源或双频射频电源。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
