[发明专利]热敏头及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及到一种具有折回电极结构的热敏头及其制造方法。

背景技术

在以往的热敏头中，作为使在涂釉基板(珐琅衬底)上按一定间距排列的多个发热电阻体通电的电极结构，曾被公开过的折回电极结构具有导通连接相邻的一对发热电阻体的折回电极、通过该折回电极使一对发热电阻体通电的共用布线以及分立布线。随着高密度化和基板小型化，折回电极结构的电极布线越来越倾向于微细化。特别是，位于分立布线接合垫之间的共用布线因为不能使形成在分立布线的一端部上的驱动IC接合垫达到超出一定规格的小型化，所以，其线宽和间距(lineand space，电极宽度以及电极间隔)即使在现状其线宽(line)约为12μm、间距(space)约为6μm而非常狭窄。

如果作为涂釉基板使用具有凸面阶梯部的凸状阶梯涂釉基板，先在凸状阶梯涂釉基板上使电阻体层全面地成膜，并以光刻(photolithography)方法使电阻体层形成为一定形状的电阻体图案后，在凸面阶梯部上的、除了形成多个发热电阻体的区域以外的电阻体图案上形成导体层，就可以得到上述电极布线(折回电极、共用布线以及分立布线)。具体地为：在形成电阻体图案的光刻工序中，在电阻体层上涂敷抗蚀剂，并且曝光及显像抗蚀剂而形成用于获得规定的电阻体形状的抗蚀剂图案，将该抗蚀剂图案作为掩膜蚀刻电阻体层，最后清除抗蚀剂。当形成抗蚀剂图案时，为了高精度地决定发热电阻体的平面尺寸，使曝光焦点对准凸面阶梯部的顶上部，而曝光整个抗蚀剂(一次性曝光；参照图5)。作为上段和下段对准标记(定位指标)使用了在凸面阶梯部的顶上部和底部上形成的电阻体图案的一部分，以光刻方法(涂敷抗蚀剂、曝光、显影、蚀刻和清除抗蚀剂)形成导体层。位于导体层正下方的电阻体图案具有提高导体层和涂釉基板之间的密接性的密接层功能。

近年来，与高密度化和基板小型化相对应，出现了凸状阶梯涂釉基板的凸面阶梯部的高低之差变大的倾向。因此，在形成电极布线时，在使曝光焦点对准凸面阶梯部的顶上部而曝光整个抗蚀剂的一次性曝光方式中，因为凸面阶梯部的底部的曝光焦点变得模糊而使图案形成精度降低。如果能够充分确保电极布线的线宽和间距就能解决上述问题，但是，像上述的接合垫之间的共用布线，在要求微细电极布线的窄布线区域中，就出现了因没有全部清除电极间的电阻体层或导体层而发生电极短路等而不能形成微细电极布线的问题。作为其解决方法，可考虑到使曝光焦点分别对准凸面阶梯部的顶上部和底部而进行二级曝光(参照图6)，并使用顶上部抗蚀剂图案和底部抗蚀剂图案来提高图案形成精度。

专利文献1：(日本)特开平1-105758号公报

但是，要利用二级曝光形成导体层，就要使用分别设在凸面阶梯部的顶上部和底部上的对准标记而校准与电阻体图案之间的位置。要形成该对准标记，有必要利用电阻体图案的一部分在凸面阶梯部的顶上部和底部上以相同工序同时形成，但是如果以二级曝光的方式形成电阻体图案，就不能在顶上部和底部同时形成对准标记，而会发生对准标记的位置偏移。因此，以该对准标记作为基准而形成的导体层，在凸面阶梯部的顶上部和底部的图案将偏移，或者与电阻体图案之间的图案偏移也将变大，也很难取得微细电极布线。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而提出的，其目的在于提供一种热敏头及其制造方法，可在线宽和间距狭窄的窄布线区域上形成图案精度良好的电极布线。

本发明是着眼于以下几点而完成的。即：如果通过一次性曝光形成电阻体图案，就可在凸面阶梯部的顶上部和底部上同时形成对准标记，并且利用该对准标记就可以与二级曝光相比更高精度地形成导体层图案；如果不设电阻体层而只靠导体层构成窄布线区域的电极布线，即使通过一次性曝光形成电阻体图案，也能在窄布线区域上形成微细的电极布线(不发生短路)；以及，如果在窄布线区域外通过电阻体层和导体层构成电极布线，就可以提高电极布线(导体层)的密接性。

即本发明的热敏头具备：涂釉基板，具有凸面阶梯部；多个发热电阻体，在凸面阶梯部上以规定节距(pitch)排列；以及电极布线，使该多个发热电阻体通电，该热敏头的特征在于，电极布线具有宽度大的宽布线区域和宽度小的窄布线区域，宽布线区域由与上述发热电阻体相同的材料构成的电阻体层和导体层形成，窄布线领域不存在上述电阻体层而只由上述导体层形成。