[发明专利]热敏头及其制造方法有效
| 申请号: | 200710154203.6 | 申请日: | 2007-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN101143521A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
| 发明(设计)人: | 横山进矢 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号: | B41J2/335 | 分类号: | B41J2/335;B41J2/345 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热敏 及其 制造 方法 | ||
1.一种热敏头,具备:涂釉基板,具有凸面阶梯部;多个发热电阻体,在上述凸面阶梯部上以规定节距排列;以及电极布线,使该多个发热电阻体通电;上述热敏头的特征在于,
上述电极布线具有宽度大的宽布线区域和宽度小的窄布线区域,宽布线区域由与上述发热电阻体相同的材料构成的电阻体层和导体层形成,窄布线区域不存在上述电阻体层而只由上述导体层形成。
2.一种热敏头,具备:涂釉基板,具有凸面阶梯部;多个发热电阻体,在上述凸面阶梯部上以规定节距排列;折回布线,导通连接相邻的一对发热电阻体;共用布线和分立布线,通过上述折回布线使相邻的一对发热电阻体通电;以及接合垫,形成在该分立布线的一端部,用于驱动IC连接;该热敏头的特征在于,
上述共用布线具有窄布线区域和宽布线区域,该窄布线区域位于列状排列的上述接合垫之间且宽度小,而该宽布线区域的宽度比该窄布线区域的宽度大,该宽布线区域由与上述发热电阻体相同的材料构成的电阻体层和导体层形成,窄布线区域不存在上述电阻体层而只由上述导体层形成。
3.根据权利要求2所述的热敏头,其特征在于,在接合部上设有覆盖该接合部的密封树脂层,该接合部至少包括上述共用布线的窄布线区域、上述接合垫以及与该接合垫引线接合的驱动IC。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的热敏头,其特征在于,在上述多个发热电阻体的表面设有由绝缘材料构成的绝缘隔离层。
5.一种热敏头制造方法,其特征在于,具有:
在具有凸面阶梯部的涂釉基板上,全面地成膜电阻体层的工序;
在上述凸面阶梯部的顶上部和底部同时构图形成该电阻体层,并且形成多个发热电阻体、电阻体图案以及上段及下段对准标记的工序,其中,该电阻体图案在要形成的电极布线的宽度小的窄布线区域上被清除且存在于宽度比窄布线区域大的宽布线区域,该上段及下段对准标记表示上述凸面阶梯部的顶上部以及底部;
在包括上述电阻体图案的涂釉基板上,全面地成膜导体层的工序;
在上述导体层上涂敷抗蚀剂的工序;
利用上述上段对准标记对光掩膜进行位置调整,使曝光焦点对准上述凸面阶梯部的顶上部并曝光该顶上部的抗蚀剂的工序;
利用上述下段对准标记对光掩膜进行位置调整,使曝光焦点对准上述凸面阶梯部的底部并曝光该底部的抗蚀剂的工序;
对曝光后的抗蚀剂进行显影,形成具有与要形成的电极布线相同的形状的抗蚀图案的工序;以及
使该抗蚀剂图案作为掩膜蚀刻上述导体层,在蚀刻后清除抗蚀剂图案的工序。
6.根据权利要求5所述的热敏头制造方法,其特征在于:上述电极布线由折回布线和共用布线及分立布线形成,该折回布线导通连接相邻的一对发热电阻体,该共用布线及分立布线通过该折回布线使相邻的一对发热电阻体通电;在该共用布线中,仅用上述导体层形成位于上述分立布线的一端部的接合垫之间的宽度小的窄布线区域;由上述电阻体层和上述导体层形成宽度比该窄布线区域大的宽布线区域。
7.根据权利要求5所述的热敏头制造方法,其特征在于,在上述电阻体层的成膜工序和上述电阻体层的构图形成工序之间,具有:在上述电阻体层之上全面地形成绝缘材料膜的工序;以及构图形成该绝缘材料膜,形成绝缘隔离层和基准对准标记的工序,其中,该绝缘隔离层覆盖上述电阻体层的发热电阻体的形成区域,该基准对准标记形成在上述凸面阶梯部的顶上部,
上述上段对准标记在上述基准对准标记上重合形成。
8.根据权利要求5至7中的任意一项所述的热敏头制造方法,其特征在于,上述上段以及下段对准标记形成在与上述发热电阻体以及上述电极布线的形成区域不重合的预备区域。
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