[发明专利]具有金属互连的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造金属互连的方法，包括以下步骤：

在包含下部互连的半导体衬底上形成电介质层；

在所述电介质层中形成暴露出所述下部互连的沟槽；

在所述电介质层上和所述沟槽中形成扩散阻挡件；

在所述扩散阻挡件上形成铜籽晶层；

将金属掺杂剂注入所述铜籽晶层内；

在内部注入了所述金属掺杂剂的所述铜籽晶层上形成铜金属互连；及

由所述铜籽晶层和所述金属掺杂剂形成合金层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述合金层的步骤包括使用热处理工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属掺杂剂包含铝离子。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述合金层包括Cu-Al合金层。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述铝离子是由Al₂O₃或三甲基铝产生的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述合金层包含Cu₂Al。

7.一种具有金属互连的半导体器件，包括：

电介质层，位于包含下部互连的半导体衬底上；

沟槽，位于该电介质层中；

扩散阻挡件，位于所述沟槽中和所述层间电介质层上；

合金层，位于所述扩散阻挡件上；以及

铜互连，位于所述合金层上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述合金层包括Cu-Al合金层。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述合金层包含Cu₂Al。