[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710152838.2 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101150146A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 金山弘 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/60;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种装置，包括：
半导体衬底；
在该半导体衬底上形成的栅极；
在该半导体衬底中形成的漂移区，其中所述漂移区与所述栅极相邻；和
在该漂移区中形成的至少一个隔离区。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个隔离区是浅沟槽隔离。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个隔离区由两个隔离区构成。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个隔离区由一个隔离区构成。
5.根据权利要求1所述的装置，其中在晶体管的阱区中形成所述漂移区。
6.根据权利要求5所述的装置，其中：
用N型掺杂物注入所述阱区；且
用P型掺杂物注入所述漂移区。
7.根据权利要求5所述的装置，其中：
用P型掺杂物注入所述阱区；且
用N型掺杂物注入所述漂移区。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述栅极与所述漂移区的一侧重叠。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置是漏极延伸NMOS晶体管。
10.根据权利要求1所述的装置，其中在该漂移区中形成的所述至少一个隔离区被设置成用以将电流从所述半导体衬底的表面转向。
11.一种方法，包括：
在半导体衬底中形成至少一个隔离区；
在所述半导体衬底中形成漂移区，其中该漂移区围绕在所述至少一个隔离区；和
在所述半导体衬底上形成栅极。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一个隔离区是浅沟槽隔离。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一个隔离区由两个隔离区构成。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一个隔离区由一个隔离区构成。
15.根据权利要求11所述的方法，包括：在所述半导体衬底中形成阱区，其中在形成所述阱区后，在所述阱区中形成所述漂移区。
16.根据权利要求15所述的方法，其中：
用N型掺杂物注入所述阱区；且
用P型掺杂物注入所述漂移区。
17.根据权利要求15所述的方法，其中：
用P型掺杂物注入所述阱区；且
用N型掺杂物注入所述漂移区。
18.根据权利要求11所述的方法，其中所述栅极与所述漂移区的一侧重叠。
19.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法用于形成漏极延伸NMOS晶体管的至少一部分。
20.根据权利要求11所述的方法，其中在该漂移区中形成的所述至少一个隔离区被设置成用以将电流从所述半导体衬底的表面转向。
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