[发明专利]快闪存储器

权利要求书

1.一种快闪存储器，包含:

基底；

存储器单元串，设于该基底上；

第一选择栅极晶体管，包含第一栅极沟道，该第一选择栅极晶体管设于该存储器单元串的一侧；以及

第二选择栅极晶体管，包含第二栅极沟道，该第二选择栅极晶体管，相对于该存储器单元串，设于该第一选择栅极晶体管的另一侧，并直接与该第一选择栅极晶体管串接，其中该第一栅极沟道与该第二栅极沟道分别具有不同的沟道长度，使得该第一选择栅极晶体管以及该第二选择栅极晶体管之一永远处于开启状态。

2.如权利要求1所述的快闪存储器，其中该第一栅极沟道的长度小于该第二栅极沟道的长度。

3.如权利要求1所述的快闪存储器，其中该存储器单元串包含多个双位储存晶体管单元。

4.如权利要求1所述的快闪存储器，另包含位接触垫，位于该第二选择栅极晶体管的一侧。

5.一种快闪存储器，包含:

基底；

第一有源区域，位于该基底内，其中该第一有源区域上依序设有在同一行上的第一存储器单元串、第一选择栅极晶体管以及第二选择栅极晶体管，其中，该第一选择栅极晶体管包含第一栅极沟道，该第二选择栅极晶体管包含第二栅极沟道；以及

第二有源区域，位于该基底内，其中该第二有源区域上依序设有在同一行上的第二存储器单元串、第三选择栅极晶体管以及第四选择栅极晶体管在同一行上，其中，该第三选择栅极晶体管包含第三栅极沟道，该第四选择栅极晶体管包含第四栅极沟道；

其中，该第一选择栅极晶体管和该第三选择栅极晶体管排列在同一列上，而该第二选择栅极晶体管和该第四选择栅极晶体管排列在同一列上，其中，该第一栅极沟道的长度等于该第三栅极沟道的长度、该第二栅极沟道的长度等于该第四栅极沟道的长度，且该第一栅极沟道的长度和该第二沟道栅极的长度不相等。

6.如权利要求5所述的快闪存储器，其中该第一栅极沟道的长度小于该第二栅极沟道的长度。

7.如权利要求5所述的快闪存储器，其中该第一存储器单元串包含多个第一双位储存晶体管单元。

8 如权利要求5所述的快闪存储器，其中该第二存储器单元串包含多个第二双位储存晶体管单元。

9.如权利要求5所述的快闪存储器，其中该第一选择栅极晶体管紧邻该第三选择栅极晶体管。

10.如权利要求5所述的快闪存储器，其中该第二选择栅极晶体管紧邻该第四选择栅极晶体管。