[发明专利]不对称的薄膜晶体管结构有效
| 申请号： | 200710149011.6 | 申请日： | 2003-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101118930A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈坤宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 不对称 薄膜晶体管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种不对称的薄膜晶体管结构，其包含有：
一衬底；
一半导体层设于该衬底上，该半导体层包含有一沟道区，单一轻掺杂区 以及一第一重掺杂区设于该沟道区的一侧，以及一第二重掺杂区设于该沟道 区的另一侧；以及
一栅极设于该衬底上，且该栅极的一侧暴露出部分的该沟道区，该栅极 的另一侧覆盖部分的该轻掺杂区。
2.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该栅极设于该半导体层上方。
3.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该栅极设于该半导体层下方。
4.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该轻掺杂区作为该薄膜晶体管 的轻掺杂漏极。
5.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该第一重掺杂区作为该薄膜晶 体管的漏极，该第二重掺杂区作为该薄膜晶体管的源极。
6.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该轻掺杂区的长度介于0至 3.5微米之间。
7.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该半导体层包含N型掺杂剂。
8.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该半导体层包含P型掺杂剂。
9.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该栅极是一金属层。
10.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该栅极由掺杂多晶硅构成。
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