[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：形成在半导体衬底中的元件隔离区域，由所述元件隔离区域包围的活性区域，以及形成在所述元件隔离区域和所述活性区域上，并在所述元件隔离区域上具有与所述活性区域上相比栅极长度方向上的图案宽度较大的第一区域的第一栅电极，其特征在于：

所述第一栅电极中的所述第一区域，具有膜厚与所述活性区域上的膜厚不同的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一栅电极中的所述第一区域，是栅极接触区域或布线区域。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

存在于所述活性区域附近的所述第一区域的曲折部分的平面形状是直角形状。

4.根据权利要求1到3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一栅电极中的所述第一区域，具有膜厚比所述第一栅电极在所述活性区域上的膜厚小的部分。

5.根据权利要求1到3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一栅电极中的所述第一区域，具有膜厚比所述第一栅电极在所述活性区域上的膜厚大的部分。

6.根据权利要求1到3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于：

包括第二栅电极，与所述第一栅电极并排形成在所述元件隔离区域及所述活性区域上，并在所述元件隔离区域上具有与所述活性区域上相比栅极长度方向上的图案宽度较大的第二区域；

所述第一栅电极在所述活性区域上的膜厚，与所述第二栅电极在所述活性区域上的膜厚不同。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一栅电极中的第一区域，具有膜厚比所述第一栅电极在所述活性区域上的膜厚小的部分；

所述第二栅电极中的第二区域，具有膜厚比所述第二栅电极在所述活性区域上的膜厚大的部分。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

存在于所述活性区域附近的所述第二区域的曲折部分的平面形状是直角形状。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还包括：

栅极绝缘膜，形成在所述活性区域上的所述第一栅电极与所述活性区域之间，和

第一源漏极区域，形成在所述活性区域中的所述第一栅电极两侧下方区域中。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

还包括：

侧壁，形成在所述第一栅电极的侧面上，和

第二源漏极区域，形成在所述活性区域中的所述侧壁的外侧下方区域中。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

包括：工序a，在半导体衬底中形成元件隔离区域和由所述元件隔离区域包围的活性区域，

工序b，在所述元件隔离区域和所述活性区域上形成栅电极形成膜，

工序c，在所述栅电极形成膜上形成跨越所述元件隔离区域和所述活性区域的、呈直线形状的第一掩模部，

工序d，在位于所述元件隔离区域上的所述栅电极形成膜上形成第二掩模部，以及

工序e，在所述工序c和所述工序d之后，通过用所述第一掩模部及所述第二掩模部对所述栅电极形成膜进行蚀刻，来形成在所述元件隔离区域上具有与所述活性区域上相比栅极长度方向上的图案宽度较大的第一区域的第一栅电极；

所述第一掩模部，具有与所述第二掩模部不同的掩模结构；

在所述工序e中，所述第一掩模部和所述第二掩模部形成为一部分互相重叠。