[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一半导体衬底；

一介电层，设于该半导体衬底上；

一导线，设于该介电层中；以及

一金属碳化物盖层，设于该导线上方。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属碳化物盖层与该导线直接接触。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属碳化物盖层与该导线之间还包括一金属盖层，且该金属盖层与该金属碳化物盖层包含相同的金属。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属碳化物盖层包括：金属氮碳化物、金属碳硅化物、或金属氮碳硅化物。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属碳化物盖层包括：碳化铁或氮碳化铁。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属碳化物盖层包括下列材料的碳化物：钨、钽、铁、钴、镍、钼、钛、钴钨磷化物、钴硼化物、或前述的组合。

7.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一半导体衬底；

形成一介电层于该半导体衬底上；

形成一导线于该介电层中；以及

形成一金属碳化物盖层于该导线上方。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其中形成该金属碳化物盖层的步骤包括：

形成一金属盖层于该导线上；以及

至少将该金属盖层的顶部碳化以形成该金属碳化物盖层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该碳化步骤在含碳与氢的气体的环境下进行。

10.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中在该碳化步骤之前，还包括至少将该金属盖层的顶部硅化。

11.如权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其中该硅化步骤在含硅气体的环境下进行，且该硅化步骤包括热浸处理、等离子体处理、或前述的组合。

12.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，还包括至少将该金属盖层的顶部氮化。

13.如权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其中该氮化步骤与该碳化步骤同时进行。

14.如权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其中该氮化步骤在该碳化步骤之前或之后进行。

15.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其中该金属碳化物盖层包括：碳化铁、氮碳化铁、或氮碳硅化铁。