[发明专利]均衡电路及其控制方法无效
申请号: | 200710146865.9 | 申请日: | 2007-08-24 |
公开(公告)号: | CN101174453A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 广田卓哉;柳田崇雄;高桥弘行 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 均衡 电路 及其 控制 方法 | ||
1.一种用于将第一布线和第二布线的电压设为基本上相同的均衡电路,包括:
第一电源线;
第一晶体管,连接在第一布线和第一电源电路之间并具有接收第一控制信号的控制端;以及
第二晶体管,连接在第一布线和第二布线之间并具有接收与第一控制信号不同的第二控制信号的控制端。
2.根据权利要求1的均衡电路,其中:
该第一电源电路提供有由基准电压产生电路产生的基准电压;以及
基于该基准电压,第一布线和第二布线的电压被设为基本上相同。
3.根据权利要求2的均衡电路,还包括连接在第一电源电路和第二布线之间的第三晶体管。
4.根据权利要求2的均衡电路,其中所述第三晶体管具有等于第一晶体管的电流驱动能力。
5.根据权利要求3的均衡电路,其中,当相对于多个第一晶体管设置第一晶体管时,第三晶体管具有与多个第一晶体管的电流驱动能力的总和相等的电流驱动能力。
6.根据权利要求2的均衡电路,其中该基准电压相对于提供给第一布线和第二布线的电压的中点电压具有偏移。
7.根据权利要求6的均衡电路,其中该基准电压低于提供给第一布线和第二布线的电压的中点电压。
8.根据权利要求2的均衡电路,其中该均衡电路还包括连接在基准电压产生电路和第一晶体管之间的限流电阻器。
9.根据权利要求1的均衡电路,其中该均衡电路被连接在易失性半导体存储器件中的布线对之间。
10.根据权利要求9的均衡电路,其中该易失性半导体存储器件包括DRAM。
11.根据权利要求1的均衡电路,其中该第一电源电路具有地电压或电源电压。
12.一种将第一布线和第二布线的每一个处的电压均衡为由基准电压产生电路产生的基准电压的方法,包括:
通过激活从初始电压到等于或小于该基准电压的电压的放电路径,将第一布线的电压从初始电压改变为该初始电压和基准电压之间的中间电压,
将第一布线的电压从中间电压设置为基准电压,以及
将第二布线的电压从初始电压设置为基准电压。
13.一种半导体存储器件,包括:
用于放大位线对之间的电位差的读出放大器;
第一布线和第二布线,第一和第二布线之间的电压被提供给该读出放大器;以及
用于将第一布线和第二布线的电位彼此均衡的均衡电路,
其中该均衡电路响应于第一控制信号和第二控制信号来均衡第一布线和第二布线的电位。
14.根据权利要求13的半导体存储器件,其中该第一控制信号包括用于在均衡开始之后的预定时期内将第一布线连接到预定电位线的信号。
15.根据权利要求13的半导体存储器件,其中该第二控制信号包括用于在预定时期过去之后将第二布线连接到预定电位线的信号。
16.根据权利要求14的半导体存储器件,其中该第一布线和第二布线的电位被均衡为与预定电位线的电位基本上相同。
17.根据权利要求14的半导体存储器件,其中该预定电位低于提供给读出放大器的第一布线和第二布线的电源电位的中点电位。
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