[发明专利]在半导体器件中形成金属线的方法

权利要求书

1.一种在半导体器件中形成金属线的方法，包括：

在基板上形成层间绝缘膜；

通过选择性图形化所述层间绝缘膜形成通孔；

在包括所述通孔内部部分的所述层间绝缘膜表面上形成金属膜；

用铜沟槽填充所述通孔的内部部分；

使用反向电流退镀在所述层间绝缘膜表面上暴露出的铜层，以形成铜金属线和在该铜金属线上的凹进区域；

通过沉积在包括所述凹进区域的所述层间绝缘膜表面上形成上部绝缘膜；和

通过蚀刻所述上部绝缘膜仅在所述铜金属线上的所述凹进区域上选择性地形成绝缘帽盖层。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述上部绝缘膜和所述绝缘帽盖层由选自由SiN、SiCN和SiON构成的组的一种制成。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，使用热沉积方法或等离子体沉积方法将所述上部绝缘膜沉积在所述层间绝缘膜表面上。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，还包括在形成所述金属膜之后在用铜沟槽填充所述通孔的内部部分之前，在所述金属膜表面上涂覆促进剂。