[发明专利]具有命令/地址管脚的与非闪存以及包括其的闪存系统无效
| 申请号: | 200710144164.1 | 申请日: | 2007-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN101221809A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
| 发明(设计)人: | 林田泽 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 命令 地址 管脚 闪存 以及 包括 系统 | ||
1.一种NAND闪存,其包含:
存储数据的存储单元阵列;
命令/地址管脚,通过其接收用于传输数据的命令和地址;以及
数据输入/输出管脚,通过其传输存储单元阵列内的数据。
2.如权利要求1所述的NAND闪存,还包含状态寄存器,其通过命令/地址管脚接收状态读取命令,以及将NAND闪存的操作状态提供给闪存控制器。
3.如权利要求2所述的NAND闪存,闪存控制器向NAND闪存发送状态读取命令。
4.如权利要求2所述的NAND闪存,其中状态寄存器向闪存控制器发送状态信号SQ,以通知闪存控制器是否可以对NAND闪存进行内部操作。
5.如权利要求4所述的NAND闪存,其中闪存控制器响应于状态信号SQ,控制NAND闪存的内部操作。
6.如权利要求1所述的NAND闪存,其中根据数据选通信号DQS的触发,传输通过输入/输出管脚传输的数据。
7.如权利要求6所述的NAND闪存,其中利用双数据率DDR传输方法来传输通过输入/输出管脚传输的数据。
8.如权利要求1所述的NAND闪存,还包含命令/地址缓存器,其接收通过命令/地址管脚接收的命令和地址。
9.如权利要求8所述的NAND闪存,还包含控制单元,其控制命令和地址的接收。
10.如权利要求9所述的NAND闪存,其中控制单元从闪存控制器接收芯片使能信号nCE和装载信号nLOAD,并且控制命令和地址的接收。
11.一种闪存系统,其包含:
闪存控制器;以及
闪存模块,其包含多个NAND闪存,
其中每个NAND闪存都包含:
存储数据的存储单元阵列;
命令/地址管脚,通过其接收来自闪存控制器的用于传输存储单元阵列中的数据的命令和地址;以及
数据输入/输出管脚,通过其传输存储单元阵列内的数据。
12.如权利要求11所述的闪存系统,其中每个NAND闪存还包含状态寄存器,其通过命令/地址管脚接收状态读取命令,以及将NAND闪存的操作状态提供给闪存控制器。
13.如权利要求12所述的闪存系统,其中闪存控制器向NAND闪存发送状态读取命令。
14.如权利要求12所述的闪存系统,其中状态寄存器向闪存控制器发送状态信号SQ,以通知闪存控制器是否可以对NAND闪存进行内部操作。
15.如权利要求14所述的闪存系统,其中闪存控制器响应于状态信号SQ,控制NAND闪存的内部操作。
16.如权利要求11所述的NAND闪存系统,其中根据数据选通信号DQS的触发,传输通过输入/输出管脚传输的数据。
17.如权利要求16所述的闪存系统,其中利用双数据率DDR传输方法来传输通过输入/输出管脚传输的数据。
18.如权利要求11所述的闪存系统,其中每个NAND闪存还包含命令/地址缓存器,其接收通过命令/地址管脚接收的命令和地址。
19.如权利要求18所述的闪存系统,其中每个NAND闪存还包含控制单元,其控制命令和地址的接收。
20.如权利要求19所述的闪存系统,其中控制单元从闪存控制器接收芯片使能信号nCE和装载信号nLOAD,并且控制命令和地址的接收。
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