[发明专利]闪存及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存，其特征在于其包括：

一衬底；

一堆栈结构，位于该衬底上，该堆栈结构包括：

一隧穿氧化层；

一电荷存储层，位于该隧穿氧化层上；

一栅间介质层，位于该电荷存储层上；以及

一控制栅极，位于该栅间介质层上；

一源极与一漏极，分别位于该电荷存储层两侧的该衬底中；以及

一源极端间隔层，位于该堆栈结构接近该源极的一侧壁上，以防止该 隧穿氧化层与该栅间介质层在接近该源极端的部位被再次氧化，其中

该隧穿氧化层靠近该漏极侧向下方的衬底延伸，使该隧穿氧化层的下 表面不平坦。

2.如权利要求1所述的闪存，其特征在于：该源极端间隔层包括覆 盖部分该堆栈结构的顶部或覆盖部分该衬底的表面。

3.如权利要求1所述的闪存，其特征在于：该源极端间隔层的厚度 在75埃～200埃之间。

4.如权利要求1所述的闪存，其特征在于：该栅间介质层与该隧穿 氧化层分别选自包括氧化物层、氮化物层、氮化物与氧化物层、氧化物与 氮化物与氧化物层所组成的物质的其中之一。

5.如权利要求1所述的闪存，其特征在于：该隧穿氧化层包括一带 隙工程穿隧结构。

6.如权利要求5所述的闪存，其特征在于：该带隙工程穿隧结构包 括底氧化硅层/中间的氮化硅层/顶氧化硅层结构。

7.如权利要求6所述的闪存，其特征在于：该带隙工程穿隧结构的 底氧化硅层厚度为小于等于20埃。

8.如权利要求6所述的闪存，其特征在于：该带隙工程穿隧结构的 氮化硅层厚度介于10～20埃。

9.如权利要求6所述的闪存，其特征在于：该带隙工程穿隧结构的 顶氧化硅层厚度介于15～20埃。

10.如权利要求1所述的闪存，其特征在于：该控制栅极的材料是选 自包括掺杂多晶硅、金属硅化物、导电金属所组成的材料其中之一。

11.如权利要求1所述的闪存，其特征在于：还包括一对存储器间隔 层，分别位于该源极端间隔层上以及该堆栈结构接近该漏极的一侧壁上。

12.一种闪存的制造方法，其特征在于其包括：

于一衬底上形成一堆栈结构，该堆栈结构自该衬底依序包括一隧穿氧 化层、一电荷存储层、一栅间介质层以及一控制栅极；

进行一离子注入工艺，以于该电荷存储层两侧的该衬底中各形成一掺 杂区；

于该堆栈结构接近该源极的一侧壁上形成一源极端间隔层；以及

进行一热工艺，来活化各该掺杂区，进而于该堆栈结构具有该源极端 间隔层的该侧壁底下的该衬底中形成一源极，并于该堆栈结构的另一侧的 该衬底中形成一漏极，并且造成该隧穿氧化层靠近该漏极侧向下方的衬底 延伸，使该隧穿氧化层的下表面不平坦。

13.如权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：该热工艺 包括热氧化工艺或退火工艺。

14.如权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：形成该源 极端间隔层的步骤包括：

于该堆栈结构表面覆盖一防止氧化层；以及

去除位于该堆栈结构接近该漏极的一侧壁上的该防止氧化层。

15.如权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：该源极端 间隔层的厚度在75埃～200埃之间。

16.如权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：进行该热 工艺之后还包括于该源极端间隔层上以及该堆栈结构接近该漏极的一侧 壁上形成一对存储器间隔层。

17.如权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：该栅间介 质层与该隧穿氧化层分别是选自包括氧化物层、氮化物层、氮化物与氧化 物层、氧化物与氮化物与氧化物层所组成的物质的其中之一。

18.如权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：该控制栅 极的材料是选自包括掺杂多晶硅、金属硅化物、导电金属所组成的材料其 中之一。