[发明专利]柔性显示装置面板的制造

说明书

相关申请交叉参考

本申请要求2006年8月23日向韩国知识产权局提交的第10-2006-0079911号韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种用于柔性显示装置的显示面板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器和有机发光二极管(OLED)显示器是广泛使用的平板显示器的代表。液晶显示器通常包括：上面板，其中形成有共用电极、滤色片等；以及下面板，其中形成有薄膜晶体管(TFT)和像素电极。液晶层设置在两个显示面板之间。如果在像素电极与共用电极之间施加电势差，液晶层中的合成电场就决定液晶分子的定向，并且控制入射光穿过液晶层的透射率。因此，可以通过调节两个电极之间的电势差显示期望的图像。

OLED显示器包括空穴注入电极(阳极)和电子注入电极(阴极)(有机发光层形成在两电极之间)，并且通过空穴和电子的再结合而发出光。但是，因为这种显示装置使用较重并易碎的玻璃基板，所以其不适合便携式显示器以及大屏幕显示器。因此，已开发出使用柔性基板(例如具有轻重量、冲击抵抗力、以及柔性的塑料基板)的显示装置。

但是，塑料基板容易因制造过程期间使用的高温而翘曲，因此可在低温下沉积的薄膜晶体管被用来防止塑料基板的变形。但是，通过低温沉积形成的TFT的性能不会和期望的一样高。

发明内容

根据本发明一个实施例的用于LCD的显示面板的制造方法包括：在柔性绝缘基板上形成栅极线；在栅极线上沉积栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；以及在半导体层和栅极绝缘层上形成数据线和漏电极。半导体层的形成可以在大约100℃至大约180℃通过PECVD来完成。

半导体层可以以大约300W或更低的RF功率使用PECVD而形成，优选是大约150W至大约300W的RF功率。

栅极绝缘层可以薄于大约5500，并且优选具有大约2000至大约5500的厚度。

该方法进一步包括在沉积栅极绝缘层之后在栅极绝缘层上执行氢等离子体处理。

氢等离子体处理可通过在大约2000Torr的压力下以及大约130℃的温度下供应H₂大约30秒来完成。

该方法可包括在形成数据线和漏电极之后对具有多个薄膜的基板进行退火。

退火可在150℃执行大约一小时或更久。

退火可在150℃执行大约三小时。

绝缘基板可含有塑料。

绝缘基板可含有PES。

根据本发明实施例的用于LCD的显示面板包括：柔性绝缘基板；栅极线，形成在基板上；栅极绝缘层，形成在栅极线上，具有大约2000至大约5500的厚度，并受到氢等离子体处理；半导体层，形成在栅极绝缘层上，并且在大约100℃至大约180℃通过PECVD来沉积；以及包括源电极的数据线和漏电极，形成在半导体层和栅极绝缘层上。

半导体层可以以大约300W或更低的RF功率通过PECVD来沉积，优选是大约150W至大约300W的RF功率。

氢等离子体处理可通过在大约2000Torr的压力下以及大约130℃的温度下供应H₂大约30秒来完成。

显示面板可在150℃受到退火大约一小时或更久，优选是三小时。

附图说明

下文将参照附图更加充分地描述本发明，附图中：

图1是根据本发明实施例的TFT阵列面板的布局图；

图2和图3是分别沿着线II-II和III-III截取图1中示出的TFT阵列面板的截面图；

图4、图7、图11和图14是根据本发明实施例的TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤的布局图；

图5和图6是分别沿着线V-V和VI-VI截取图4中示出的TFT阵列面板的截面图；

图8和图9是分别沿着线VIII-VIII和IX-IX截取图7中示出的TFT阵列面板的截面图；

图10A至图10C是依次示出图7至图9中示出的TFT阵列面板的制造方法的截面图；

图12和图13是分别沿着线XII-XII和XIII-XIII截取图11中示出的TFT阵列面板的截面图；以及

图15和图16是分别沿着线XV-XV和XVI-XVI截取图14中示出的TFT阵列面板的截面图。

具体实施方式