[发明专利]柔性显示装置面板的制造

权利要求书

1.一种用于LCD的显示面板的制造方法，包括：

在柔性绝缘基板上形成栅极线；

在所述栅极线上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；以及

在所述半导体层和所述栅极绝缘层上形成数据线和漏电极，其中，所述半导体层的形成在大约100℃至大约180℃通过PECVD来完成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层的形成以大约300W或更低的RF功率通过PECVD来完成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半导体层的形成以大约150W至大约300W的RF功率通过PECVD来完成

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极绝缘层薄于大约5500。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述栅极绝缘层具有大约2000至大约5500的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在沉积所述栅极绝缘层之后在所述栅极绝缘层上执行氢等离子体处理。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述氢等离子体处理通过在大约2000Torr的压力下以及大约130℃的温度下供应H₂大约30秒来完成。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述数据线和所述漏电极之后对具有多个薄膜的所述基板进行退火。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述退火在150℃执行大约一小时或更久。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述退火在150℃执行大约三小时。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘基板含有塑料。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘基板含有PES。

13.一种用于LCD的显示面板，包括：

柔性绝缘基板；

栅极线，形成在所述基板上；

栅极绝缘层，形成在所述栅极线上，具有大约2000至大约5500的厚度，并受到氢等离子体处理；

半导体层，形成在所述栅极绝缘层上，并且在大约100℃至180℃通过PECVD来沉积；以及

包括源电极的数据线和漏电极，形成在所述半导体层和所述栅极绝缘层上。

14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述半导体层以大约300W或更低的RF功率通过PECVD来沉积。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述半导体层以大约150W至大约300W的RF功率通过PECVD来沉积。

16.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述氢等离子体处理通过在大约2000Torr的压力下以及大约130℃的温度下供应H₂大约30秒来完成。

17.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述显示面板在150℃受到退火大约一小时或更久。

18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述显示面板在150℃受到退火大约三小时。

19.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述绝缘基板含有塑料。

20.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述绝缘基板含有PES。