[发明专利]有二次电子发射层的表面光源器件及制造方法和背光单元无效

专利信息
申请号: 200710142575.7 申请日: 2007-08-29
公开(公告)号: CN101137256A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 郑京泽;李起渊;尹馨彬;李根奭;李东熙 申请(专利权)人: 三星康宁株式会社
主分类号: H05B33/14 分类号: H05B33/14;H05B33/12;H05B33/10;G02F1/13357
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 周艳玲;宋志强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 二次电子 发射 表面 光源 器件 制造 方法 背光 单元
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求于2006年8月30日提出的韩国专利申请No.2006-0083095的权益,其公开的全部内容通过参考合并于此。

技术领域

本发明涉及表面光源器件、制造该表面光源器件的方法,以及具有该表面光源器件的背光单元,具体涉及一种具有二次电子发射能力极好的二次电子发射层的表面光源器件。

背景技术

液晶显示(LCD)装置利用液晶的电学特性和光学特性显示图像。因为与阴极射线管(CRT)装置相比,LCD装置的尺寸很小,重量很轻,因此被广泛应用于便携式计算机、通信装置、液晶电视(LCTV)接收器、航天工业等。

LCD装置包括用于控制液晶的液晶控制部分和为液晶提供光的背光源。液晶控制部分包括多个布置在第一衬底上的像素电极、单个布置在第二衬底上的公共电极,以及置于像素电极和公共电极之间的液晶。像素电极的数目与分辨率相关,并且单个公共电极置于像素电极的对面。每个像素电极都与薄膜晶体管(TFT)相连,使得各个不同的像素电压施加于像素电极。相同电平的参考电压施加于公共电极。像素电极和公共电极由透明的导电材料制成。

背光源提供的光依次穿过像素电极、液晶和公共电极。穿过液晶的图像的显示质量很大程度上依赖于背光源的亮度和亮度均匀性。通常,当亮度和亮度的均匀性高时,显示质量就会得到改善。

在传统的LCD装置中,背光源通常使用棒状的冷阴极荧光灯(CCFL)或点状的发光二极管(LED)。与白炽灯相比,CCFL的亮度高,使用寿命长,产生的热量少。LED的能耗高,但是亮度也高。然而,CCFL或LED的亮度均匀性差。所以,为了提高亮度均匀性,使用CCFL或LED作为光源的背光源需要光学构件,例如导光板(LGP)、扩散元件和棱镜片。因此,由于这些光学构件,使用CCFL或LED的LCD装置变得尺寸大,重量重。

所以,提出平坦形状的表面光源器件作为LCD装置的光源。

参见图1,传统的表面光源器件100包括光源体110和置于光源体110两边的电极160。光源体110包括以预定距离彼此隔开的第一衬底和第二衬底。多个分隔物140排列在第一和第二衬底之间,并分隔被第一衬底和第二衬底限定的空间。在第一衬底和第二衬底的边之间插入密封剂(未示出),以将放电通道120与外部隔离。放电气体注入放电通道120中的放电空间150中。

为了驱动表面光源器件100,在第一和第二衬底中的两个或任一个上形成电极。电极具有条形或岛形,同时对于每个放电通道而言,这些电极具有相同的面积。当表面光源器件100被逆变器驱动时,所有通道都均匀地放电。

然而,在传统的表面光源器件中,由于光的发射根据放电通道的位置而各不相同,因此亮度的均匀性不好。而且,由相邻通道之间的干涉形成的沟道效应,导致产生暗区。

具体而言,传统的表面光源器件具有这样的问题:用作放电气体的汞(Hg)引起环境污染,在低温下亮度的稳定时间长,以及由于汞对温度的敏感性导致亮度的均匀性差。对于大尺寸的表面光源器件来说,还有另外的问题需要解决。

发明内容

因此,本发明旨在提供一种适合于大尺寸液晶显示装置的新的表面光源器件。

本发明的另一目的是提供一种具有改善的亮度、亮度均匀性且厚度薄的表面光源器件和背光单元。

本发明的又一目的是提供一种点火电压低和亮度稳定时间短的表面光源器件,以提高光发射效率。

本发明的其它目的和特征将在下面进行更详细地描述。

根据本发明的一个方面,本发明提供一种用于表面光源器件的衬底,包括形成在所述衬底表面上的包括晶体氧化镁(MgO)粉末的第一二次电子发射层。

所述衬底可以包括第二二次电子发射层,其与二次电子发射材料进行离子交换,并形成在所述衬底的表面下。

根据本发明的另一方面,本发明提供一种表面光源器件,包括:以预定距离彼此面对的第一衬底和第二衬底,在这两个衬底之间形成放电空间;以及向所述放电空间施加放电电压的电极,并且在第一衬底和第二衬底的至少一个的表面上形成包括晶体氧化镁(MgO)粉末的第一二次电子发射层。

所述晶体MgO粉末可通过研磨MgO溅射靶获得。

第一衬底和第二衬底中的至少一个可以包括第二二次电子发射层,该发射层位于衬底的表面下,并与二次电子发射材料进行离子交换。

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