[发明专利]有二次电子发射层的表面光源器件及制造方法和背光单元

权利要求书

1.一种用于表面光源器件的衬底，包括：

形成在所述衬底表面上的包括晶体氧化镁(MgO)粉末的第一二次电子发射层。

2.如权利要求1所述的衬底，其中，在所述衬底的表面下，形成与二次电子发射材料进行离子交换的第二二次电子发射层。

3.一种表面光源器件，包括：

以预定距离彼此面对的第一衬底和第二衬底，在这两个衬底之间形成有放电空间；以及

电极，其用于向所述放电空间施加放电电压，

其中，在所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的表面上形成包括晶体氧化镁(MgO)粉末的第一二次电子发射层。

4.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，所述晶体MgO粉末通过研磨MgO溅射靶获得。

5.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，所述第一二次电子发射层中的晶体MgO粉末的粒径为1μm或大于1μm。

6.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，在所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的表面下形成与二次电子发射材料进行离子交换的第二二次电子发射层。

7.如权利要求6所述的表面光源器件，其中，所述第二二次电子发射层被执行离子交换，以包括镁(Mg)离子。

8.如权利要求6所述的表面光源器件，其中，所述第二二次电子发射层形成在距离所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的所述表面3μm至10μm处。

9.如权利要求6所述的表面光源器件，其中，所述第一二次电子发射层和第二二次电子发射层中的至少一层包括氧化物和离子两者。

10.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，在所述第一衬底和第二衬底之间形成单个放电空间，且在所述放电空间中充入除汞以外的放电气体。

11.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，所述电极包括基层、形成在所述基层上的电极图样和形成在所述电极图样上的保护层。

12.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，所述第一二次电子发射层形成在所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的整个表面上。

13.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，形成有一个或多个分隔物，以将所述第一衬底和第二衬底之间的放电空间分隔为多个独立空间。

14.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，所述电极沿所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的外表面的边缘形成，且所述第一二次电子发射层与所述电极相对应地沿所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的内表面的边缘形成。

15.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，所述晶体MgO粉末为单晶MgO粉末。

16.如权利要求3所述的表面光源器件，其中，所述晶体MgO粉末通过喷涂或印刷来涂敷。

17.一种制造表面光源器件的方法，包括：

制备第一衬底和第二衬底；

通过研磨MgO靶来获得晶体氧化镁(MgO)粉末；

在所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的表面涂敷所述晶体MgO粉末；

将所述第一衬底和第二衬底结合在一起，以在所述第一衬底和第二衬底之间形成放电空间；以及

在所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底上形成电极。

18.如权利要求17所述的方法，进一步包括：

烧制所述第一衬底和第二衬底中的至少一个涂敷有晶体MgO粉末的衬底。

19.一种背光单元，包括：

表面光源器件，包括：

形成在第一衬底和第二衬底之间的放电空间；

向所述放电空间施加放电电压的电极；以及

位于所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的表面上的包括晶体氧化镁(MgO)粉末的第一二次电子发射层；

容纳所述表面光源器件的壳体；以及

向所述电极施加放电电压的逆变器。

20.如权利要求19所述的背光单元，其中，在所述第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的表面下形成与二次电子发射材料进行离子交换的第二二次电子发射层。