[发明专利]形成绝缘膜的方法

权利要求书

1.一种形成绝缘膜的方法，包括在基板上真空层压绝缘有机材料的步骤，所述基板具有形成于所述基板的周边区域中的周边环形电极，以及形成于所述周边区域内部的器件元件，并且具有包括凸起部分的表面配置，其中第一虚拟图案形成于所述基板上的所述周边环形电极与所述器件元件之间的区域中。

2.如权利要求1所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述绝缘有机材料是干膜抗蚀剂。

3.如权利要求1或权利要求2所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述第一虚拟图案是形成于所述基板上的电镀图案、形成于所述基板中的通孔图案、或者由在所述基板的表面上挖出的凹坑形成的凹陷图案。

4.如权利要求3所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述第一虚拟图案是矩形图案或椭圆形图案，各个图案具有垂直或平行于周边环形电极的所述边缘线的纵向，或者各个图案具有垂直和平行于周边环形电极的所述边缘线的纵向组合。

5.如权利要求3所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述第一虚拟图案是正方形图案或圆形图案。

6.如权利要求5所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述第一虚拟图案是由排列成栅格的正方形或圆形构成的图案。

7.如权利要求4到6的任一个所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述第一虚拟图案与所述器件元件之间的距离基本上等于形成于所述基板上的所述器件元件之间的距离。

8.如权利要求1或权利要求2所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述第一虚拟图案由选自权利要求4到6中定义的所述图案的图案组合构成。

9.如权利要求1或权利要求2所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述第一虚拟图案具有与所述器件元件的部分或整个图案相同的配置，并且所述第一虚拟图案具有与形成于所述基板上的所述器件元件的重复周期相同的重复周期。

10.一种形成绝缘膜的方法，包括在基板上真空层压绝缘有机材料的步骤，所述基板具有形成于所述基板上的器件元件并具有包括凸起部分的表面配置，其中第二虚拟图案形成于所述器件元件的侧面区域中。

11.一种形成绝缘膜的方法，包括在基板上真空层压绝缘有机材料的步骤，所述基板具有形成于所述基板的周边区域中的周边环形电极和形成于所述周边区域内部的器件元件，并具有包括凸起部分的表面配置，其中第二虚拟图案形成于所述器件元件的侧面区域中。

12.一种形成绝缘膜的方法，包括在基板上真空层压绝缘有机材料的步骤，所述基板具有形成于所述基板的周边区域中的周边环形电极和形成于所述周边区域内部的器件元件，并具有包括凸起部分的表面配置，其中第一虚拟图案形成于所述基板上的所述周边环形电极与所述器件元件之间的区域中，而第二虚拟图案形成于所述器件元件的侧面区域中。

13.如权利要求10到12的任一项所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述绝缘有机材料是干膜抗蚀剂。

14.如权利要求10或13的任一项所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述第一虚拟图案进一步形成于所述基板上的所述周边环形电极与所述器件元件之间的区域中。

15.如权利要求10到14的任一项所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述第二虚拟图案是形成于所述基板上的电镀图案。

16.如权利要求15所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述电镀图案是排列成与所述器件元件的所述侧面区域平行的矩形图案。

17.如权利要求15所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述电镀图案为三角形或梯形。

18.如权利要求15所述的形成绝缘膜的方法，其特征在于，所述电镀图案由各自近似矩形的多个部分构成。