[发明专利]布图的检查装置、检查方法以及半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710142159.7 申请日: 2007-06-29
公开(公告)号: CN101109711A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 井上广;渡边智英;吉川绫司 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;H01L21/66;H01L21/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 吴丽丽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 检查 装置 方法 以及 半导体 制造
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体装置、用于制造液晶显示装置等的布图检查装置、 布图的检查方法以及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来,在半导体装置等的制造中,构成电路的元件、布线等等向着高集 成度、布图向着微型化的方向发展。从而在这种高集成、微型化的发展过程中 成为半导体装置等的布图转印的原版的掩模存在缺陷的情况下,在衬底(晶片) 等上不能进行正确的布图投影,产生次品。从而,有必要进行检查掩模缺陷的 缺陷检查。

在这样的掩模缺陷检查中,公开了如下技术:在CCD(电容耦合器件)传 感器等上使利用光学系统放大的布图成像,将得到的光学性的图像数据变换成 电子的图像数据而进行缺陷检查的技术。(例如,参考特许文献1)

此处,所谓55nm(纳米)时代的半导体装置的布图的线宽是220nm(纳 米)左右,掩模缺陷检查所使用的检查光的波长能达到257nm(纳米)以下。 这样当布图的线宽等检查对象的尺寸在检查光的波长以下时,光学的分辨度不 够因此不能得出缺陷信号充分的输出。为此,特许文献1(特开平7-128250号 公报)中所显示的现有技术中,出现检查能力不足的问题。对此也考虑了将检 查光的波长设为检查对象的尺寸以下的情况,由于需要光学条件从根本上改变, 因此光学系统的设计上具有非常大的困难。

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明提供一种即使检查对象的尺寸在检查光波长之下也能够进行高分辨 度检查的布图检查装置、布图检查方法以及半导体装置的制造方法。

解决问题的手段

本发明的一种实施方式提供一种布图检查装置,具有如下特征:

用于通过透过光进行检查的第1投光系统、用于通过反射光进行检查的第 2投光系统中的至少一个;检查光学系统,对在检查对象上的布图图像进行摄像; 台子,用来承载并移动上述检查对象;以及衍射光控制单元,用来增强由上述 布图衍射的光。

此外,本发明的另一实施方式提供一种布图检查方法,是通过对检查对象 上的布图进行摄像来进行检查的布图检查方法,具有如下特征:

设定上述衍射光控制单元的照射条件以便增强由上述布图衍射的光,进行 检查的步骤。

根据上述照射条件进行检查的步骤。

除此之外,本发明另一实施方式提供一种半导体装置的制造方法,具有如 下特征:

在衬底表面形成布图的步骤,用上述检查方法对上述布图进行检查的步骤。

发明的效果

按照本发明,提供即使在检查对象的尺寸在检查光的波长以下,也能进行 高分辨度检查的布图检查装置、布图的检查方法以及半导体装置的制造方法。

附图说明

【图1】说明本发明第1实施方式所涉及的检查装置的构成图。

【图2】用于说明1/4波长板的功能的模式图。

【图3】用于具体说明位相差板的作用的模式图。

【图4】用于说明直线偏光的偏光面的方位角变化的情况下的效果的模式 图。

【图5】用于说明本发明的第2实施方式所涉及的检查装置的构成图。

【图6】用于具体说明光阑的作用的模式图。

【图7】用于说明光阑的效果的模式图。

【图8】用于检查对象的检查面附近的模式放大图。

【图9】用于例示时每个检查区域设定最适合的照射条件进行检查的情况 的模式图。

【图10】用于例示检查顺序的流程图。

【图11】用于说明检查数据的核对方式的模式图。

符号说明

1检查装置、6透过光源、8位相差板、9位相差板、12反射光源、14位相 差板、15位相差板、17摄像单元、19对物透镜、20直线偏光、21圆偏光、22 直线偏光、23直线偏光、24直线偏光、25偏光、29检查装置、32透过光源、 34光阑、37反射光源、39光阑、42对物透镜、46开口、48光阑、49开口部、 E与瞳面共轭的位置、F瞳面、M检查对象、p间距、θ衍射角度。

具体实施方式

本发明人的研究结果发现,通过将在检查对象上的布图上衍射的光增强, 即使在检查对象的尺寸小于等于检查光的波长,也能进行高分辨度的检查。

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