[发明专利]半导体屏蔽结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710141743.0 申请日: 2007-08-21
公开(公告)号: CN101373741A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 黄忠谔;简煌展 申请(专利权)人: 海华科技股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/552;H01L21/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈肖梅;谢丽娜
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 屏蔽 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体屏蔽结构及其制造方法,尤指一种可阻绝热影响的半导体屏蔽结构及其制造方法。

背景技术

由于无线通讯技术的发展,电子产品对于讯号的接收品质要求越来越重视,例如美国联邦通讯委员会要求移动电话及其它手持式消费产品必须配备全球定位系统(GPS)导航功能。再者,全球产业对于电子产品要求轻、薄、短、小等特性之下,加上高度整合的芯片的要求以达成小型化的目的。无线通讯产品大都要求重量轻、体积小、高品质、低价位、低消耗功率及高可靠度等特点,而在电路设计上必须更严谨及效能最佳化。无线通讯产品中无线模块的电磁屏蔽功能及品质要求相对显得重要,以确保信号不会彼此干扰而影响到通讯品质。

然而现有应用半导体工艺所制作的通讯元件,并没有考虑到实际工艺时温度或其它操作条件的影响;例如在高温工艺时,现有的模造树脂会因为热的影响而软化,进而影响到内部结构,并造成良率无法提升。

另外,射频讯号的屏蔽必须加以考虑,现有的屏蔽结构制作方式并无法达到工艺简单且可降低成本的生产模式。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷,提出一种半导体屏蔽结构及其制造方法,该结构可利用较硬的材质形成一保护层,以避免热、温度对结构的影响。

本发明的另一目的在于,提出一种半导体屏蔽结构及其制造方法,可提升电磁屏蔽层制作的产业利用价值且可扩展此屏蔽结构的应用范围。

为了达成上述目的,本发明提供一种半导体屏蔽结构,其包括:一半导体基板;至少一主动区域,其设置于该半导体基板的一侧;一保护层,其中该保护层成形于该主动区域外侧;一屏蔽层,其中该屏蔽层成形于该保护层的外侧;及一包覆层,其结合于该屏蔽层外侧;其中该保护层较该包覆层为硬,且该保护层的抗热性较该包覆层的抗热性为佳。

为了达成上述目的,本发明还提出一种半导体屏蔽结构的制造方法,其步骤包括:(a)提供一半导体基板,其上成形有至少一主动区域;(b)形成一保护层于该主动区域的外侧;(c)形成一屏蔽层于该保护层的外侧;(d)形成一包覆层于该屏蔽层的外侧;其中,该保护层较该包覆层为硬,且该保护层的抗热性较该包覆层的抗热性为佳。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而所附图式仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明半导体屏蔽结构制造方法第一步骤的示意图;

图2为本发明半导体屏蔽结构制造方法第二步骤的示意图;

图3为本发明半导体屏蔽结构制造方法第三步骤的示意图;

图4为本发明半导体屏蔽结构制造方法第四步骤的示意图;

图5为本发明半导体屏蔽结构制造方法的流程图。

图中符号说明

1        半导体基板

11       主动区域

12、12’ 保护层

13       屏蔽层

14       包覆层

15       导电区域

具体实施方式

请参阅图1至图4,本发明提供一种半导体屏蔽结构,该屏蔽结构可有效防止高频信号彼此干扰的现象,且可避免进入高温工艺时,包覆于主动区域外的保护层软化的现象。

该半导体屏蔽结构,包括一半导体基板1,此实施例中该半导体基板1为一砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)基板,该半导体基板1可设有至少一个导电区域15,该导电区域15用一般现有半导体工艺方式所制作,在此不多加赘述;而图1至图4中仅显示一个导电区域15,但并不以此为限。

此外,在该半导体基板1的一面设置至少一主动区域11,且该主动区域11根据元件设计的需要所设置,以达成电流的传输。在本实施例中,有三个主动区域11设于该半导体基板1上;而该主动区域11的形状、位置及与半导体基板1上其它区域的连接关系可依据工艺参数或其它元件设计的要求而加以更动。

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