[发明专利]半导体屏蔽结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710141743.0 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373741A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 黄忠谔;简煌展 | 申请（专利权）人： | 海华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/552;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 屏蔽 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体屏蔽结构，其特征在于，包含：
一半导体基板；
至少一主动区域，其设置于该半导体基板的一侧；
一保护层，其中该保护层成形于该主动区域外侧；
一屏蔽层，其中该屏蔽层成形于该保护层外侧；及
一包覆层，其结合于该屏蔽层外侧；
其中该保护层较该包覆层为硬，且该保护层的抗热性较该包覆层的抗热性为佳。
2.如权利要求1所述的半导体屏蔽结构，其特征在于，该保护层为正硅酸乙酯材质。
3.如权利要求1所述的半导体屏蔽结构，其特征在于，该保护层为氮化硅材质。
4.如权利要求1所述的半导体屏蔽结构，其特征在于，该屏蔽层为一金属层。
5.如权利要求4所述的半导体屏蔽结构，其特征在于，该金属层以金属溅镀的半导体工艺方法所制成且具有一预定厚度。
6.如权利要求1所述的半导体屏蔽结构，其特征在于，该包覆层为模造树脂材质。
7.一种如权利要求1所述的半导体屏蔽结构的制造方法，其特征在于，包含步骤：
(a)提供一半导体基板，其上成形有至少一主动区域；
(b)形成一保护层于该主动区域的外侧；
(c)形成一屏蔽层于该保护层的外侧；以及
(d)形成一包覆层于该屏蔽层的外侧；
其中，该保护层较该包覆层为硬，且该保护层的抗热性较该包覆层的抗热性为佳。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，该步骤(c)的该屏蔽层为以半导体工艺方法所形成的一金属层。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，该半导体工艺方法为金属溅镀方法。
10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，该步骤(d)的该包覆层为以模造方法所形成的一树脂层。
11.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，该步骤(b)的保护层为正硅酸乙酯材质。
12.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，该步骤(b)的保护层为氮化硅材质。
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