[发明专利]相变存储器的感测电路

说明书

技术领域

本发明涉及相变存储器，特别是涉及相变存储器的感测电路及其感测方法。 

背景技术

图1为一传统的相变存储器的感测电路图，于图1中，一电流I_R流过一相变存储单元115，由于相变存储单元115的电阻值随其数据状态而不同，因此电流I_R于相变存储单元115两端所产生的压降也不同，将该电压送至一比较器130，并与一参考电压V_REF进行比较，则可判断出相变存储单元115的数据状态，一般而言，该比较器130为一模拟式的电路，通过设计可判辨出细微的差异，不过由于位线上的电阻电容负载会延迟电流转换成电压的充电时间，因此读取速度较慢。 

图2为美国专利US5787042所披露的相变存储器的感测电路图，于图2中，其先将数据位线充电至Vdd/2，再断开均衡器，让两数据位线电压从预充电电位开始往反方向移动，然后慢读出数据的逻辑值，由于其感测放大器为一锁存器，因此两输入端分别耦接至互补的位线，并接收互补信号，以提供足够的感测边限(sensing margin)，如此需耗费两个存储单元来存储一个数据位，使得存储单元阵列面积为一存储单元储存一数据位此架构的两倍大。 

发明内容

一种相变存储器的感测电路，该感测电路包括一数据电流源与一参考电流源、一数据存储元件与一参考存储元件、一数据开关与一参考开关以及一比较器，该数据存储元件与该参考存储元件的第一端分别耦接至该数据电流源与该参考电流源，该数据开关与该参考开关分别耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第二端，该比较器耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第一端。 

一种相变存储器的感测方法，其包括于读取开始时，以一辅助电流源对 一数据位线或一参考位线进行加速充电，以及于读取开始一既定时间后，关闭该辅助电流源。 

为使本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并结合附图详细说明如下。 

附图说明

图1所示为一传统的相变存储器的感测电路图。 

图2所示为美国专利US5787042所披露的相变存储器的感测电路图。 

图3A与3B所示为依据本发明一实施例的相变存储器的感测电路。 

图3C所示为图3A与3B中感测电路所需的信号波形图。 

图4所示为依据本发明一实施例的相变存储器的感测方法流程图。 

附图符号说明 

I_R～读取电流； 

V_REF～参考电压； 

115～相变存储单元； 

130～比较器； 

300～感测电路； 

Cs_DAT～数据电流源； 

Cs_REF～参考电流源； 

PCR_DAT～数据存储元件； 

PCR_REF～参考存储元件； 

BL_DAT～数据位线； 

BL_REF～参考位线； 

SW_DAT～数据开关； 

SW_REF～参考开关； 

SW～开关； 

Vdat～数据存储元件PCR_DAT的第一端电位； 

Vref～参考存储元件PCR_REF的第一端电位； 

Iaux～辅助电流； 

Vout～判读结果输出； 

RE～读取致能信号； 

Cs_AUX_En～辅助电流源致能信号； 

410～于读取开始时，以一辅助电流源对一数据位线或一参考位线进行加速充电； 

420～于读取开始一既定时间后，关闭该辅助电流源。 

具体实施方式