[发明专利]相变存储器的感测电路

权利要求书

1.一种相变存储器的感测电路，包括：

一数据电流源与一参考电流源；

一数据存储元件与一参考存储元件，皆为相变存储单元、且该数据存储元件的第一端与该参考存储元件的第一端分别耦接至该数据电流源与该参考电流源；

一数据开关与一参考开关，分别耦接至该数据存储元件的第二端与该参考存储元件的第二端；

一辅助电流源，通过一开关动态地耦接至该数据存储元件的第一端与该参考存储元件的第一端，其中该开关于开始读取时导通，并于一既定时间后关闭；以及

一比较器，耦接至该数据存储元件的第一端与该参考存储元件的第一端。

2.如权利要求1所述的相变存储器的感测电路，其中该数据开关与该参考开关为金属氧化物半导体晶体管。

3.一种相变存储器的感测方法，包括：

于读取开始时，以一辅助电流源提供一辅助电流至一数据位线与一参考位线，以对该数据位线与该参考位线进行加速充电，其中该数据位线与该参考位线皆耦接至相变组件；

于读取开始一既定时间后，关闭该辅助电流源；以及

在该数据位线与该参考位线两者的一端的电压进入稳定之后，通过一比较器依据该数据位线与该参考位线两者的一端的电压高低判断该相变组件的存储状态。