[发明专利]半导体芯片及集成电路结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种具有密封环的半导体芯片，特别是有关于一种可防止水气穿透密封环的半导体芯片及集成电路结构。

背景技术

密封环(seal ring)成型在半导体制造工艺后端中是一很重要的部分。密封环是围绕着集成电路的压力保护结构，其可防止半导体芯片中的内部电路不受到由来自于晶片的半导体芯片的切割所引起的损坏。

传统的密封环是由内连金属线及连结中介窗所构成。图1显示一现有密封环10的部分构造示意图。密封环10通常是成形于一划线12(有时也可被称为切割道)的内侧上。一电路区域(未显示)是位于图1内的左侧上，而一切割区域(在切割过程中被切割的区域)是位于图1内的右侧上。

密封环10包括有由金属线14及导电中介窗18所组成的内连金属元件。金属线14及导电中介窗18均是成形于介电层16之中，并且金属线14及导电中介窗18是物理上连结的。此外，一保护薄膜20是成形于密封环10之(一顶层)上。

由于密封环10及保护薄膜20的存在，位于密封环10内侧上的电路区域可免于受到外部环境的影响，因而可确保在一长时间后的半导体装置特性的稳定度。传统上，密封环是电性浮动且不会提供电性保护。

密封环10的进一步功能是要使位于其内侧上的集成电路免于受到由水气所引起的退化。由于介电层16通常是由多孔低介电常数的介电材料所构成，故水气会轻易地穿透介电层16而到达集成电路处。因为由金属所构成的密封环10能阻碍水气穿透路径，故水气穿透现象会大幅减少。

发明内容

为了符合永久发展的定型应用的需求，密封环的设计必须被定型化，为此，本发明即揭示了一种密封环的定型化设计，本发明基本上采用如下所详述的特征以解决上述的问题。

本发明的一实施例提供一种半导体芯片，包括：一密封环，邻接于该半导体芯片的边缘；一开口，从该密封环的一顶面延伸至该密封环的一底面，其中，该开口具有一第一端及一第二端，该第一端位于该密封环的一外侧上，以及该第二端位于该密封环的一内侧上；以及一水气挡块，具有一侧壁，其中，该侧壁平行于该密封环的一最近侧，以及该水气挡块邻接于该密封环，并且具有面对该开口的一部分。

上述的半导体芯片，其中优选地，该开口及该水气挡块具有可比拟于该开口的一宽度的一距离。

上述的半导体芯片，其中优选地，该水气挡块物理上分离于该密封环。

上述的半导体芯片，其中优选地，该开口将该密封环分割成一第一端及一第二端，以及该水气挡块仅连接于该密封环的该第一端或该第二端。

上述的半导体芯片，其中优选地，还包括一额外水气挡块，其中，该额外水气挡块邻接于该开口，并且相对于该水气挡块而位于该密封环的一相对侧上。

上述的半导体芯片，其中优选地，还包括一额外密封环，邻接于该半导体芯片的边缘，其中，该额外密封环具有一额外开口，以及该密封环的该开口不与该额外密封环的该额外开口排列在一直线上。

上述的半导体芯片，其中优选地，该开口的宽度小于2μm。

本发明的另一实施例提供一种集成电路结构，包括：一半导体芯片；一密封环，具有一第一侧、一第二侧、一第三侧及一第四侧，其中，该第一侧、该第二侧、该第三侧及该第四侧分别邻接于该半导体芯片的边缘，该第一侧、该第二侧、该第三侧及该第四侧互相连接于彼此，以及该密封环包括：多条第一金属线，分别位于多个介电层之中；多条中介窗条，连接于所述第一金属线；及一开口，延伸穿过所述第一金属线及所述中介窗条，其中，该开口分开密封环的一第一端及一第二端；以及一挡块，具有多条第二金属线及多个连结中介窗，其中，所述第二金属线及所述连结中介窗位于所述介电层之中，该挡块邻接于该开口，并且面对该开口，以及该挡块至多连接于该密封环的该第一端或该第二端。

上述的集成电路结构，其中优选地，该密封环的所述中介窗条及所述第一金属线具有相同的宽度，以及该挡块的所述第二金属线及所述连结中介窗具有相同的宽度。

上述的集成电路结构，其中优选地，由该挡块及该密封环所定义的一路径具有一长度及一宽度，以及该长度对于该宽度的比值大于20。