[发明专利]半导体芯片及集成电路结构

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

一密封环，邻接于该半导体芯片的边缘；

一开口，从该密封环的一顶面延伸至该密封环的一底面，其中，该开口具有一第一端及一第二端，该第一端位于该密封环的一外侧上，以及该第二端位于该密封环的一内侧上；以及

一水气挡块，具有一侧壁，其中，该侧壁平行于该密封环的一最近侧，以及该水气挡块邻接于该密封环，并且具有面对该开口的一部分。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，该开口及该水气挡块具有可比拟于该开口的一宽度的一距离。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，该水气挡块物理上分离于该密封环。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，该开口将该密封环分割成一第一端及一第二端，以及该水气挡块仅连接于该密封环的该第一端或该第二端。

5.如权利要求1所述的半导体芯片，还包括一额外水气挡块，其中，该额外水气挡块邻接于该开口，并且相对于该水气挡块而位于该密封环的一相对侧上。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，还包括一额外密封环，邻接于该半导体芯片的边缘，其中，该额外密封环具有一额外开口，以及该密封环的该开口不与该额外密封环的该额外开口排列在一直线上。

7.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，该开口的宽度小于2μm。

8.一种集成电路结构，包括：

一半导体芯片；

一密封环，具有一第一侧、一第二侧、一第三侧及一第四侧，其中，该第一侧、该第二侧、该第三侧及该第四侧分别邻接于该半导体芯片的边缘，该第一侧、该第二侧、该第三侧及该第四侧互相连接于彼此，以及该密封环包括：

多条第一金属线，分别位于多个介电层之中；

多条中介窗条，连接于所述第一金属线；及

一开口，延伸穿过所述第一金属线及所述中介窗条，其中，该开口分开密封环的一第一端及一第二端；以及

一挡块，具有多条第二金属线及多个连结中介窗，其中，所述第二金属线及所述连结中介窗位于所述介电层之中，该挡块邻接于该开口，并且面对该开口，以及该挡块至多连接于该密封环的该第一端或该第二端。

9.如权利要求8所述的集成电路结构，其中，该密封环的所述中介窗条及所述第一金属线具有相同的宽度，以及该挡块的所述第二金属线及所述连结中介窗具有相同的宽度。

10.如权利要求8所述的集成电路结构，其中，由该挡块及该密封环所定义的一路径具有一长度及一宽度，以及该长度对于该宽度的比值大于20。

11.一种半导体芯片，包括：

一第一密封环，邻接于该半导体芯片的边缘；

一第一开口，位于该第一密封环之中，其中，该第一开口从该第一密封环的一顶层延伸至该第一密封环的一底层，并且阻止该第一密封环形成一环圈；

一第二密封环，邻接于该半导体芯片的边缘；以及

一第二开口，位于该第二密封环之中，其中，该第二开口从该第二密封环的一顶层延伸至该第二密封环的一底层，并且阻止该第二密封环形成一环圈，以及该第一开口不与该第二开口排列在一直线上。

12.如权利要求11所述的半导体芯片，其中，该第一开口及该第二开口面对该半导体芯片的不同边缘。

13.如权利要求11所述的半导体芯片，其中，该第一开口及该第二开口分别具有一行进长度，以及该行进长度大于该第一密封环的宽度及该第二密封环的宽度。