[发明专利]穿透硅通道芯片堆叠封装

权利要求书

1.一种穿透硅通道芯片堆叠封装，包括：

基板；

多个堆叠在该基板上的芯片，每个芯片具有芯片选择垫、穿透硅通道和分别连接该芯片选择垫和该穿透硅通道的重布线，其中每个芯片的该穿透硅通道都相应地与临近堆叠的芯片的该穿透硅通道连接；和

外部连接终端，其贴装在基板的下表面，

其中形成在每个堆叠的芯片中的该重布线，以在该芯片选择垫和该穿透硅通道之间建立连接，使得连接该芯片选择垫和该穿透硅通道的连接结构对于每个堆叠的芯片不相同。

2.如权利要求1所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中堆叠在基板上的芯片的总数为2ⁿ，n为大于等于2的整数。

3.如权利要求2所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中堆叠在该基板上的芯片总数为4个。

4.如权利要求3所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中每个所述堆叠的芯片设有第一和第二芯片选择垫、第一到第三穿透硅通道和两个重布线，使得第一和第二芯片选择垫与第一至第三穿透硅通道之间的连接对每个芯片都不同。

5.如权利要求4所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中第一穿透硅通道安置在第一和第二芯片选择垫之间，以及第二和第三穿透硅通道分别安置在第一和第二芯片选择垫外面。

6.如权利要求5所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中第一至第三穿透硅通道被施加Vss或Vcc信号。

7.如权利要求2所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中堆叠在基板上的所述芯片的总数为8个。

8.如权利要求7所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中每个所述堆叠的芯片设有第一至第三芯片选择垫、第一至第四穿透硅通道和三个重布线，使得第一至第三芯片选择垫与第一至第四穿透硅通道之间的连接对每个芯片都不同。

9.如权利要求8所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中第一和第二穿透硅通道安置在第一和第二芯片选择垫之间，且第三和第四穿透硅通道安置在第二和第三芯片选择垫之间。

10.如权利要求9所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中第一至第四穿透硅通道被施加Vss或Vcc信号。

11.如权利要求1所述的穿透硅通道芯片堆叠封装，其中外部连接终端为焊料球。