[发明专利]像素结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构及其制作方法。

背景技术

液晶显示器由于具有轻薄短小、低辐射与低耗电等特性，已取代传统阴极射线管显示器成为显示器市场的主流产品。一般说来，液晶显示面板主要包括薄膜晶体管的阵列基板、彩色滤光片基板，以及填充于阵列基板与彩色滤光片基板之间的液晶分子层。阵列基板包括多个呈阵列排列的像素，且每一像素是利用多条平行的扫描线与多条与扫描线垂直的平行数据线定义而成，并以薄膜晶体管作为开关元件，利用像素电极驱动各像素上方的液晶分子作不同程度的旋转以调整各像素的亮度，同时通过彩色滤光片基板上与各像素对应设置的红色、绿色与蓝色滤光片使各像素产生不同亮度的红色、绿色与蓝色光线，进而输出高画质的彩色影像。

请参照图1至图6，图1至图6为公知制作像素结构的方法。如图1所述，首先提供基底12，且基底12上具有至少一晶体管区14以及电容区16。然后形成图案化多晶硅层18于晶体管区14及电容区16。其中，晶体管区14的图案化多晶硅层18是于后续工艺中用来形成晶体管的源极/漏极区域，而电容区16的图案化多晶硅层18则作为电容下电极。其次，形成图案化多晶硅层18的步骤可依照一般制作低温多晶硅层的标准步骤来完成。例如可先形成非晶硅层(图未示)于基底1 表面，然后进行准分子激光退火(excimerlaser anneal)工艺，使非晶硅层转化为多晶硅层。紧接着再进行图案化工艺，去除部分多晶硅层，以于基底12上形成图案化多晶硅层18。

接着如图2所示，形成由氧化硅所构成的栅极介电层20于基底12表面并覆盖图案化多晶硅层18，然后形成图案化光致抗蚀剂层22于栅极介电层20上，并利用图案化光致抗蚀剂层22当作掩模进行离子注入工艺，将P型或N型掺质注入基底12表面的图案化多晶硅层18中，以于晶体管区14的图案化多晶硅层18中形成源极/漏极区域24。

如图3所示，然后形成由钼所构成的导电层(图未示)于栅极介电层20上，并进行图案化工艺，去除部分导电层，以于晶体管区14的栅极介电层20上形成栅极26以及于电容区16的栅极介电层20上形成电容上电极28。接着利用栅极26当作掩模进行离子注入工艺，将P型或N型掺质注入基底12表面的图案化多晶硅层18中，以于晶体管区14的图案化多晶硅层18中形成轻掺杂源极/漏极30。至此即在晶体管区14完成晶体管以及在电容区16完成电容的制作。

随后如图4所示，形成介电层32于栅极介电层20表面并覆盖栅极26及电容上电极28，然后进行图案化工艺，以于介电层32及栅极介电层20中形成多个接触洞34。

如图5所示，接着形成图案化金属层于介电层32上并填满各接触洞34，以形成多条导线36连接源极/漏极区域24。

然后如图6所示，形成另一个介电层38于导线36上，当作平坦层，并进行另一图案化工艺，例如利用图案化光致抗蚀剂层(图未示)当作掩模进行蚀刻工艺，以于介电层38中形成至少一开口40。接着形成图案化透明导电层于介电层38上并填满开口40，以形成相对应的像素电极42，进而完成公知像素结构的制作。

值得注意的是，上述的公知工艺一般需用到至少七道掩模才可完成像素结构的制作，容易造成成本增加。此外，公知跟晶体管一起制作完成的电容结构都是由多晶硅层、由氧化硅所构成的介电层以及由钼所构成的导电层所组成。此电容的设计虽可达到一般像素结构的需求，但在很多情况下仍无法提供满意的储存容量。因此，如何有效节省工艺的步骤并提升电容的储存量即为现今一个重要课题。

发明内容

本发明的目的是提供一种制作像素结构的方法，以解决上述公知的问题。