[发明专利]像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作像素结构的方法，包括：

提供基底，该基底上具有至少一晶体管区以及电容区；

分别形成图案化半导体层于该晶体管区及该电容区；

形成栅极介电层于该基底表面并覆盖该图案化半导体层；

依序形成导电层、介电层以及电极层于该基底上；

形成多个图案化光致抗蚀剂层于该晶体管区及该电容区的该电极层表面；

进行等向性蚀刻工艺，利用该多个图案化光致抗蚀剂层当作掩模，以同时于水平及垂直方向均匀去除部分该电极层；

进行第一蚀刻工艺，利用该多个图案化光致抗蚀剂层当作掩模去除部分该介电层及该导电层；

进行第一离子注入工艺，利用该多个图案化光致抗蚀剂层当作掩模，以于该晶体管区的该图案化半导体层中形成源极/漏极区域；

去除该晶体管区的该图案化光致抗蚀剂层；

进行第二蚀刻工艺，利用该图案化电极层当作掩模，去除部分该介电层及该导电层；

进行第二离子注入工艺，利用该多个图案化光致抗蚀剂层当作掩模，以于每个该晶体管区的该图案化半导体层中形成轻掺杂源极/漏极；

进行第三蚀刻工艺，利用该电容区的该图案光致抗蚀剂层当作掩模去除该晶体管区的该电极层；

去除该电容区的该图案化光致抗蚀剂层；

形成第一介电层于该基底上，并形成多个第一接触洞于该第一介电层中；

形成图案化金属层于该第一介电层上并填满每个该第一接触洞，以形成多条第一导线；

形成第二介电层于该多个第一导线上，并形成多个第一开口于该第二介电层中；以及

形成图案化透明导电层于该第二介电层上并填满每个该第一开口，以形成多个像素电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成每个该图案化半导体层的步骤还包括：

形成非晶硅层于该基底表面；

进行准分子激光退火工艺，使该非晶硅层转化为多晶硅层；以及

进行图案化工艺，去除部分该多晶硅层，以于该基底上形成该多个图案化半导体层。

3.如权利要求1所述的方法，其中该导电层的材质包括钼。

4.如权利要求1所述的方法，其中该电极层的材质包括铝。

5.如权利要求1所述的方法，其中该电极层的厚度约4000埃至10000埃。

6.如权利要求1所述的方法，其中该方法于形成多个图案化光致抗蚀剂层之前还包括形成半透型掩模于该晶体管区，且该半透型掩模对应该晶体管区的该图案化光致抗蚀剂层。

7.如权利要求1所述的方法，其中该透明导电层包括氧化铟锡层或氧化铟锌层。

8.一种像素结构，形成于基底上，该基底具有晶体管区以及电容区，该像素结构包括：

图案化半导体层，设于该晶体管区，该图案化半导体层具有沟道区，以及位于该沟道区两侧的源极/漏极区；

第一电容电极，设于该电容区；

栅极介电层，设于该基底上并覆盖该图案化半导体层与该第一电容电极；

栅极，设于该图案化半导体层的该沟道区上；

第二电容电极、第一介电层以及铝层电容电极，设于该电容区的该栅极介电层上；

第一介电层，设于该基底上并覆盖该栅极及该铝层电容电极；

至少一第一导线，设于该第一介电层中，电性连接该半导体层的该源极/漏极区与该铝层电容电极；

第二介电层，设于该多个第一导线上；以及

第一透明导电层，设于该第二介电层上并连接该多个第一导线。

9.如权利要求8所述的像素结构，其中该第二电容电极包括钼。

10.如权利要求8所述的像素结构，其中该第一介电层包括氧化硅。

11.如权利要求8所述的像素结构，其中该铝层电容电极的厚度约4000埃至10000埃。

12.如权利要求8所述的像素结构，其中该第一透明导电层为氧化铟锡层或氧化铟锌层。