[发明专利]压印方法和压印装置

说明书

技术领域

本发明涉及把在表面具有微细的凹凸的压模和被转印体加压，在所述被转印体表面转印所述压模的凹凸形状的压印方法和压印装置。

背景技术

近年，随着半导体集成电路的微细化、集成化的进展，作为用于实现微细加工的图案转印技术，光刻装置的高精度化正在进展。可是，加工方法接近光曝光的光源的波长，光刻技术也接近界限。因此，为了推进进一步的微细化、高精度化，使用带电粒子束装置的一种即电子束曝光装置来代替光刻技术。

使用电子束的图案形成与使用i线、受激准分子激光器等光源的图案形成的批量曝光方法不同，采取绘制掩模图案的方法，所以绘制的图案越多，越花费曝光(绘制)时间，具有在图案形成上花费时间的缺点。因此，伴随着图案的微细化、集成度飞跃地提高，图案形成时间也飞跃地提高，生产能力显著恶化。因此，为了电子束曝光装置的高速化，组合各种形状的掩模并批量照射电子束，形成复杂的形状的电子束的批量图形照射法的开发正在进展。结果，图案的微细化进展，除必须使电子束曝光装置大型化外，还必需以更高精度控制掩模位置的机构，存在装置成本提高的缺点。

与此相反，存在用于以低成本进行微细的图案的形成的压印技术。它是通过把具有与要在衬底上形成的图案相同的图案的凹凸的压模对被转印体表面按压，并剥离压模，来转印给定的图案的技术；通过转印，可以形成25纳米以下的微细结构。另外，正在研究将压印技术应用于大容量记录介质的记录凹陷的形成、以及半导体集成电路图案的形成。

在利用压印技术在大容量记录介质衬底或半导体集成电路板上形成微细图案时，在对形成在被转印体表面上的树脂薄膜层按压压模之前，必须以高精度把所述压模和所述被转印体的相对位置对准。例如，在以下的专利文献1中描述了在压模表面和被转印体表面分别设置对准标记，用光学的手法观察压模和被转印体各自的对准标记，把压模和被转印体的相对位置对准的技术。

可是，必须在压模和被转印体的两者上设置对准标记，存在难以在例如像磁记录介质用盘片衬底那样的被转印体设置对准标记的情况。

作为在被转印体不设置对准标记地把磁记录介质用盘片衬底对准的方法，例如已知像专利文献2那样，在盘片衬底的中心孔中穿过对准用销来机械地对准的手法。可是，对准精度依存于中心孔和销的加工精度，在磁记录介质用盘片衬底能取得的对准精度最多为30μm，难以进行高精度的对准。另外，销与盘片衬底或压模机械地接触，所以容易损伤接触部，对盘片衬底或压模带来损害。

另一方面，在曝光装置中，作为对于曝光台的衬底对准方法，已知根据衬底端部的位置信息检测衬底的形状、中心位置信息的手法(专利文献3)。可是，根本没有描述面向压印技术的压模和被转印体的对准应用。

[专利文献1]日本专利申请公开特开2005-116978号公报

[专利文献2]US6757116B1

[专利文献3]日本专利申请公开特开2001-264015号公报

压印技术作为能简便地转印纳米级的微细图案的技术而引人注目，但是根据应用的制品，有时难以在被转印体上设置对准标记，有时不希望形成对准标记。而为了把压模的凹凸形状转印到被转印体的给定的图案形成区，要求压模和被转印体的高精度地对准。为了以高精度实施对准，优选是光学手法，但是在以往的对准手法中，必须在被转印体和压模两者上设置对准标记。在以往技术中，难以在被转印体不设置对准标记地以高精度进行压模和被转印体的对准。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种不在被转印体上设置对准标记、而能以高精度把压模和被转印体的相对位置对准的压印方法和压印装置。

本发明是一种压印方法，包括调整在表面具有凹凸图案的压模和被转印体的相对位置的步骤、使所述压模的凹凸图案面与所述被转印体接触加压并且在所述被转印体上转印所述压模的凹凸图案的步骤、从所述被转印体剥离所述压模的步骤，其特征在于：

作为调整所述压模和所述被转印体的相对位置的步骤，包括：

至少检测2点以上的所述被转印体的端部位置，并根据检测的端部位置计算任意点的步骤；根据所述压模的端部或形成在压模上的对准标记检测压模的位置的步骤；根据所述任意点和压模的位置调整所述被转印体和所述压模的相对位置的步骤。