[发明专利]制造无定形氧化锌半导体层

说明书

相关申请的交叉参考

Beng S.Ong等人，US申请系列11/450,998，提交日2006年6月 12日，题目“结晶氧化锌半导体层的制造方法”(代理案号 20060114-US-NP)，该文献的公开内容在此完全引入作为参考。

技术领域

本公开内容总体上涉及制造电子器件的半导体层的方法。更具体 地，本公开内容涉及使用液体沉积技术制造电子器件的半导体层的方 法。

背景技术

氧化锌是用于制造大面积显示器的低成本薄膜晶体管(“TFT”) 电路和其它低成本电子器件的TFT中有希望的通路半导体。但制备氧 化锌半导体层的常规方法可能昂贵，涉及高设备投资和复杂加工技 术。因此，需要由本发明的实施方案解决更简单，较便宜的制造方法， 特别是在塑料基材相容温度下。

如下文献提供背景信息：

E.Fortunato等人，“Fully Transparent ZnO Thin-Film Transistor Produced at Room Temperature，”Adv.Mater.，Vol.17，No.5，pp.590-594 (2005年3月8日)。

B.J.Norris等人，“Spin coated zinc oxide transparent transistors，”J.Phys.D：Appl.Phys.，Vol.36，pp.L105-L107(2003)。

B.Sun等人，“Solution-Processed Zinc Oxide Field-Effect Transistors Based on Self-Assembly of Colloidal Nanorods，”Nano Lett.，Vol.5，No.12，pp.2408-2413(2005)。

在实施方案中提供制造电子器件的半导体层的方法，该方法包 括：液体沉积一种或多种氧化锌前体组合物和从液体沉积的一种或多 种氧化锌前体组合物形成主要包括无定形氧化锌的电子器件的至少 一个半导体层。

发明内容

在实施方案中也提供制造电子器件的半导体层的方法，该方法包 括：

(a)液体沉积氧化锌前体组合物以得到沉积的组合物；

(b)加热沉积的组合物；和

(c)冷却受热的沉积组合物，

其中特征(a)、(b)和(c)各自以任何有效的排列完成许多次，得到主 要包括无定形氧化锌的至少一个半导体层。

在另外的实施方案中提供薄膜晶体管，该晶体管包括以任何有效 排列的如下部分：

主要包括无定形氧化锌的半导体层；

栅介电层；

源电极；和

漏电极。

附图说明

图1表示使用本方法制备的TFT的第一实施方案；

图2表示使用本方法制备的TFT的第二实施方案；

图3表示使用本方法制备的TFT的第三实施方案；

图4表示使用本方法制备的TFT的第四实施方案；

图5表示使用本方法制备的TFT的第五实施方案；

除非另外说明，不同图中的相同参考号表示相同或相似的特征。

具体实施方式

在此公开了如下实施方案。

方案1.一种制造电子器件的半导体层的方法，包括：液体沉积 一种或多种氧化锌前体组合物和从液体沉积的一种或多种氧化锌前 体组合物形成主要包括无定形氧化锌的电子器件的至少一个半导体 层。

方案2.方案1的方法，其中一种或多种氧化锌前体组合物包括 开始成分，该开始成分包括锌化合物和液体。

方案3.方案2的方法，其中液体选自水、甲醇、乙醇、丙醇、 丁醇、乙二醇、甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、甲氧基丙醇、乙氧基丙醇、 甲氧基丁醇、二甲氧基乙二醇、N，N-二甲基甲酰胺及其混合物。

方案4.方案2的方法，其中锌化合物选自乙酰丙酮锌、甲酸锌、 六氟乙酰丙酮锌、乳酸锌、柠檬酸锌、草酸锌、硝酸锌、丙烯酸锌、 甲基丙烯酸锌、它们的水合物形式及其混合物。

方案5.方案1的方法，其中一种或多种氧化锌前体组合物包括 开始成分，该开始成分包括乙酰丙酮锌水合物和醇。

方案6.一种制造电子器件的半导体层的方法，包括：