[发明专利]制造无定形氧化锌半导体层有效

专利信息
申请号: 200710138408.5 申请日: 2007-08-01
公开(公告)号: CN101358339A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: Y·吴;Y·李;B·S·翁 申请(专利权)人: 施乐公司
主分类号: C23C18/16 分类号: C23C18/16;H01L21/368;H01L29/786;H01L29/02;H01L29/22
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 段晓玲;韦欣华
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 制造 无定形 氧化锌 半导体
【权利要求书】:

1.一种制造电子器件的半导体层的方法,包括:

(a)液体沉积一种或多种氧化锌前体组合物;

(b)在从高于室温到300℃的最大温度下加热一种或多种氧化锌 前体组合物,以从一种或多种氧化锌前体组合物形成主要包括无定形 氧化锌的电子器件的至少一个半导体层;和

(c)冷却所述至少一个半导体层。

2.权利要求1的方法,其中一种或多种氧化锌前体组合物包括 开始成分,该开始成分包括锌化合物和液体,其中所述液体选自水、 甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、甲氧 基丙醇、乙氧基丙醇、甲氧基丁醇、二甲氧基乙二醇、N,N-二甲基甲 酰胺及其混合物。

3.权利要求2的方法,其中所述锌化合物选自乙酰丙酮锌、甲 酸锌、六氟乙酰丙酮锌、乳酸锌、柠檬酸锌、草酸锌、硝酸锌、丙烯 酸锌、甲基丙烯酸锌、它们的水合物形式及其混合物。

4.权利要求1的方法,其中一种或多种氧化锌前体组合物包括 开始成分,该开始成分包括乙酰丙酮锌水合物和醇。

5.一种制造电子器件的半导体层的方法,包括:

(a)液体沉积氧化锌前体组合物以得到沉积的组合物;

(b)在从高于室温到300℃的最大温度下加热沉积的组合物;和

(c)冷却受热的沉积组合物,

其中特征(a)、(b)和(c)各自以任何有效的排列完成许多次,得到 主要包括无定形氧化锌的至少一个半导体层。

6.权利要求5的方法,其中氧化锌前体组合物包括开始成分, 该开始成分包括锌化合物和液体,其中所述液体选自水、甲醇、乙醇、 丙醇、丁醇、乙二醇、甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、甲氧基丙醇、乙氧 基丙醇、甲氧基丁醇、二甲氧基乙二醇、N,N-二甲基甲酰胺及其混合 物。

7.权利要求5的方法,其中加热包括在几个温度下的逐步加热, 该几个温度包括在高于室温到200℃的第一温度和在200℃-600℃的 不同的第二温度。

8.权利要求7的方法,其中第二温度由激光加热完成。

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