[发明专利]快闪存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种快闪存储器，包括：

半导体基板，包括以彼此平行方式交替布置的第一有源区域和隔离区域、以及将该第一有源区域彼此连接的第二有源区域；

隔离结构，形成于该隔离区域上；

漏极选择线、字元线，及源极选择线，形成得使该漏极选择线、该字元线、及该源极选择线与该第一有源区域相交，其中在一条漏极选择线与一条源极选择线之间形成多条字元线；

结区域，形成在漏极选择线与相邻字元线之间、相邻字元线之间、及源极选择线与相邻字元线之间的第一有源区域上；

漏极，形成在相邻漏极选择线之间的第一有源区域上；以及

公共源极，形成在相邻源极选择线之间的第一有源区域和第二有源区域上。

2.如权利要求1所述的快闪存储器，其中每个第二有源区域具有一宽度，该宽度等于或大于每个第一有源区域的宽度且小于每个第一有源区域的宽度的3倍。

3.如权利要求1所述的快闪存储器，其中该源极选择线之间的距离等于或大于每个第二有源区域的宽度且小于每个第二有源区域的宽度的10倍。

4.一种快闪存储器，包括：

第一沟槽，形成于有源区域之间的半导体基板上，其中该第一沟槽沿一方向形成；

第二沟槽，形成于该有源区域上，其中该第二沟槽将该第一沟槽彼此连接；

隔离结构，形成于该第一沟槽中；

漏极选择线、字元线、及源极选择线，形成得使该漏极选择线、该字元线、及该源极选择线与该有源区域相交，其中在一条漏极选择线与一条源极选择线之间形成多条字元线；

结区域，形成在漏极选择线与相邻字元线之间、相邻字元线之间、及源极选择线与相邻字元线之间的有源区域上；

漏极，形成于相邻漏极选择线之间的有源区域上；以及

公共源极，形成在相邻源极选择线之间形成的第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底表面上。

5.如权利要求4所述的快闪存储器，其中每个第二沟槽具有小于相邻源极选择线之间的距离的宽度。

6.如权利要求4所述的快闪存储器，其中每个第二沟槽具有一宽度，该宽度等于或大于每个有源区域的宽度且小于每个有源区域的宽度的3倍。

7.如权利要求4所述的快闪存储器，其中相邻源极选择线之间的距离等于或大于每个第二沟槽的宽度且小于每个第二沟槽的宽度的10倍。

8.一种制造快闪存储器的方法，该方法包括：

提供半导体基板，该半导体基板包括以彼此平行方式交替布置的第一有源区域和隔离区域、以及将该第一有源区域彼此连接的第二有源区域；

在该半导体基板上形成穿隧绝缘层、电荷储存层及隔离掩模；

蚀刻该隔离掩模、该电荷储存层、该穿隧绝缘层及该半导体基板以在该隔离区域上形成沟槽；

在该隔离区域的沟槽上形成隔离结构；

在包括该隔离结构的结构上形成介电层、用于控制栅极的导电层、及硬掩模；

图案化该硬掩模、该用于控制栅极的导电层、该介电层及该电荷储存层以形成与该第一有源区域相交的漏极选择线、字元线、及源极选择线；

经由离子注入工艺在该第一有源区域上形成结区域；以及

在相邻源极选择线之间的第一有源区域及第二有源区域上形成公共源极。

9.如权利要求8所述的制造快闪存储器的方法，其中该第二有源区域具有一宽度，该宽度等于或大于每个第一有源区域的宽度且小于每个第一有源区域的宽度的3倍。

10.如权利要求8所述的制造快闪存储器的方法，其中相邻源极选择线之间的距离等于或大于每个第二有源区域的宽度且小于每个第二有源区域的宽度的10倍。