[发明专利]磁记录介质、磁记录装置及制造磁记录介质的方法无效

专利信息
申请号: 200710137983.3 申请日: 2007-03-26
公开(公告)号: CN101079271A 公开(公告)日: 2007-11-28
发明(设计)人: 白鸟聪志;樱井正敏;喜喜津哲;镰田芳幸;木村香里 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;G11B5/72
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;李峥
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质,包括:

环形基底(11),其表面分成位于外圆周边缘与内圆周边缘之间的中央部分的记录区域(21)、位于分别从外和内圆周边缘开始的100μm或更大和2,000μm或更小的范围之内的边缘区域(23、25),以及分别位于各边缘区域(23、25)和记录区域(21)之间的相邻区域(22、24);

所述基底(11)上的磁性膜(12);以及

所述磁性膜(12)上的保护膜(13),

其特征在于在所述边缘区域(23、25)的所述磁性膜(12)比所述相邻区域(22、24)的所述磁性膜更薄,以及在所述边缘区域(23、25)的所述保护膜(13)的至少一部分比所述相邻区域(22、24)的所述保护膜更厚。

2.如权利要求1所述的介质,其特征在于所述边缘区域(23、25)的所述保护膜(13)的至少一部分比所述相邻区域(22、24)的所述保护膜厚10nm或更多。

3.如权利要求1所述的介质,其特征在于所述边缘区域(23、25)的所述保护膜(13)的厚度朝着外圆周边缘或内圆周边缘减少。

4.如权利要求1所述的介质,其特征在于所述保护膜(13)包含选自碳、SiO2和ZrO2的材料。

5.如权利要求1所述的介质,其特征在于所述保护膜(13)由两种或多种类型材料的叠层膜形成。

6.如权利要求5所述的介质,其特征在于所述叠层膜包括含有无定型碳的下部保护膜和含有类金刚石碳的上部保护膜。

7.如权利要求5所述的介质,其特征在于所述叠层膜包括含有SiO2的下部保护膜和含有类金刚石碳的上部保护膜。

8.一种磁记录装置,其特征在于包括:

如权利要求1所述的磁记录介质(71);

主轴马达(72),用于旋转所述磁记录介质(71);

致动器(77);

致动器臂(74),由所述致动器(77)致动;以及

磁头滑块(76),包括合并在其中的读磁头和写磁头,并由所述致动器臂(74)支撑,从而在所述磁记录介质(71)上方悬浮。

9.一种用来制造磁记录介质的方法,其特征在于包括:

在环形基底(11)上沉积磁性膜(12);

在除了从所述基底(11)内圆周边缘开始的100μm或更大至2,000μm或更小的范围之内的内边缘区域(25)的所述磁性膜(12)上形成抗蚀剂(50),并对从外圆周边缘开始的100μm或更大至2,000μm或更小的范围之内的外边缘区域(23)进行边缘漂洗以除去所述抗蚀剂(50);

用具有凹陷和凸起图案的压模(60)进行压印处理,以使位于所述基底(11)的外圆周边缘与内圆周边缘之间的中央区域的记录区域(21)上的所述抗蚀剂(50)图案化;

蚀刻残留在所述图案化的抗蚀剂(50)的凹陷中的抗蚀剂残留物;

使用所述图案化的抗蚀剂(50)的凸起作为掩膜来蚀刻内和外边缘区域(25、23)及记录区域(21)的所述磁性膜(12);以及

除去所述图案化的抗蚀剂(50)。

10.如权利要求9所述的方法,其特征在于对所述磁性膜(12)蚀刻10nm或更多。

11.如权利要求9所述的方法,其特征在于在沉积所述保护膜之前,沉积下部保护膜,随后进行回蚀。

12.如权利要求9所述的方法,其特征在于所述保护膜(13)包含选自碳、SiO2和ZrO2的材料。

13.如权利要求9所述的方法,其特征在于所述保护膜(13)由两种或多种类型材料的叠层膜形成。

14.如权利要求13所述的方法,其特征在于所述叠层膜包括含有无定型碳的下部保护膜和含有类金刚石碳的上部保护膜。

15.如权利要求13所述的方法,其特征在于所述叠层膜包括含有SiO2的下部保护膜和含有类金刚石碳的上部保护膜。

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