[发明专利]晶圆检查的方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种检查半导体晶圆缺陷的方法和系统，特别是检查与光罩沉淀物相关联的半导体晶圆缺陷的方法和系统。

背景技术

光罩(有时被称为光栅(Reticles))通常是使用于半导体制造的微影制程中。典型地是以非常平坦的石英或玻璃，在其中一侧沉积一层图案化材料(Patterned Material；例如：铬(Chromium))来制造光罩。图案化材料是被用来将影像移转至如半导体晶圆的基材。此图案化材料可被选择或安排来形成二位元光罩BIM(Binary Mask)、相位移光罩PSM(Phase Shift Mask)、或其二者的组合，以在微影制程中有效地图案化正在曝光的辐射投射量。由于光罩污染一直是个问题，高精密光罩，如使用于具有等于或小于248纳米(nm)的波长的微影制程中，特别易受缺陷影响。一种光罩污染的型式称为雾状污染(Haze Contamination)。雾状污染是一种沉淀物，此沉淀物是由光罩清洗曝光中晶圆厂或机台环境的化学残留物或杂质所产生。例如：当使用含有铵盐(Ammonium；NH₄)与硫酸盐(Sulfate；SO₄)的溶液清洗光罩，污染会在此光罩被暴露于短波长的紫外光(如248或193纳米)时变得明显。然而，定期检查和再合格化(re-qualifying)光罩是昂贵且耗时的。

因此，需要一种简单且具成本效益的方法和系统，借以检查半导体晶圆以分类光罩上的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种晶圆检查的方法和系统，所要解决的技术问题是使其减少检查光罩缺陷所耗费的金钱与时间，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种晶圆检查的方法，其中一第一晶圆和一第二晶圆是被一光罩图案化，该晶圆检查的方法至少包含：载入该第一晶圆，并扫描在该第一晶圆上的一第一影像；载入该第二晶圆，并扫描在该第二晶圆上的一第二影像；比较该第一影像与该第二影像；以及分类该第一影像与该第二影像间所检测到的一差异为该光罩上的一潜在缺陷。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的晶圆检查的方法，其中所述的第一晶圆是被检查为实质无缺陷的该光罩所图案化。

前述的晶圆检查的方法，其中在图案化该第一晶圆后的一时间，该第二晶圆是被相同的该光罩所图案化。

前述的晶圆检查的方法，其中所述的载入并扫描该第一晶圆和该第二晶圆的步骤是被一光学影像系统所进行。

前述的晶圆检查的方法，其中所述的载入与该扫描该第一晶圆和该第二晶圆的步骤是在该第一晶圆和该第二晶圆的一显影后检查之后进行。

前述的晶圆检查的方法，其中所述的载入与该扫描该第一晶圆和该第二晶圆的步骤是在该第一晶圆和该第二晶圆的一蚀刻后检查之后进行。

前述的晶圆检查的方法，其中所述的载入与该扫描该第一晶圆和该第二晶圆的步骤是在该第一晶圆和该第二晶圆的一剥除显影后检查之后进行。

前述的晶圆检查的方法，其更至少包含：取消该光罩的资格；以及传送该光罩去做检查。

前述的晶圆检查的方法，其中所述的比较该第一影像与该第二影像的步骤包含：执行一演算法以检测该第一影像与该第二影像间的该差异。

前述的晶圆检查的方法，其中所述的分类步骤包含：分类该差异为该光罩上的一雾状缺陷。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种晶圆检查的系统，至少包含：一第一晶圆检查器，用以产生一第一晶圆的一影像；一第二晶圆检查器，用以产生一第二晶圆的一影像；以及一比较器，通过一资料汇流排连接至该第一晶圆检查器与该第二晶圆检查器；其中该比较器是被设定并操作以通过该资料汇流排来接收该第一晶圆的该影像与该第二晶圆的该影像、比较该第一晶圆的该影像与该第二晶圆的该影像、以及分类由该第二晶圆的该影像针对该第一晶圆的该影像的比较结果所检测到之一差异。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的晶圆检查系统，其中所述的第一晶圆检查器和该第二晶圆检查器是包含一单独的晶圆缺陷检查工具。

前述的晶圆检查系统，其中所述的单独的晶圆缺陷检查工具包含有一光学影像系统。

前述的晶圆检查系统，其中所述的光学影像系统包含有一单一物镜系统。

前述的晶圆检查系统，其中所述的光学影像系统包含有一多重物镜系统。