[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，包括能存储信息的数据保持电路，

无论预先存储在所述数据保持电路中的数据状态如何，通过先将所述数据保持电路的电源电压设置成小于特定电压，然后再将所述数据保持电路的电源电压设置成所述特定电压或大于所述特定电压，所述半导体集成电路装置将所述数据保持电路设置成所期望的数据状态。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，包括锁存电路，其中：

所述锁存电路包括第一反相器和第二反相器，二者均由CMOS晶体管构成；

第一反相器包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管；

第二反相器包括第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管；

当所述电源电压小于所述特定电压时，第一NMOS晶体管的电流强度大于第一PMOS晶体管的电流强度；并且

当所述电源电压小于所述特定电压时，第二PMOS晶体管的电流强度大于第二NMOS晶体管的电流强度。

3.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，包括锁存电路，其中：

所述锁存电路包括第一反相器和第二反相器，二者均由CMOS晶体管构成；

第一反相器包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管；

第二反相器包括第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管；

当所述电源电压小于所述特定电压时，第一PMOS晶体管的电流强度大于第一NMOS晶体管的电流强度；并且

当所述电源电压小于所述特定电压时，第二NMOS晶体管的电流强度大于第二PMOS晶体管的电流强度。

4.如权利要求2所述的半导体集成电路装置，其中：

第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极宽度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第一NMOS晶体管的电流强度大于第一PMOS晶体管的电流强度；并且

第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极宽度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第二PMOS晶体管的电流强度大于第二NMOS晶体管的电流强度。

5.如权利要求3所述的半导体集成电路装置，其中：

第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极宽度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第一PMOS晶体管的电流强度大于第一NMOS晶体管的电流强度；并且

第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极宽度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第二NMOS晶体管的电流强度大于第二PMOS晶体管的电流强度。

6.如权利要求2所述的半导体集成电路装置，其中：

第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极长度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第一NMOS晶体管的电流强度大于第一PMOS晶体管的电流强度；并且

第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极长度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第二PMOS晶体管的电流强度大于第二NMOS晶体管的电流强度。

7.如权利要求3所述的半导体集成电路装置，其中：

第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极长度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第一PMOS晶体管的电流强度大于第一NMOS晶体管的电流强度；并且

第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极长度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第二NMOS晶体管的电流强度大于第二PMOS晶体管的电流强度。

8.如权利要求2所述的半导体集成电路装置，其中：

第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极氧化膜厚度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第一NMOS晶体管的电流强度大于第一PMOS晶体管的电流强度；并且

第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管中至少之一具有这样的栅极氧化膜厚度，使得当所述电源电压小于所述特定电压时，第二PMOS晶体管的电流强度大于第二NMOS晶体管的电流强度。