[发明专利]制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底有效
| 申请号： | 200710136480.4 | 申请日： | 2003-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101101915A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | S·W·拜戴尔;K·E·福格尔;D·A·萨达纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 绝缘体 上硅锗 衬底 材料 方法 以及 | ||
1.一种衬底材料，包括：
含Si衬底；
存在于所述含Si衬底顶上的抗Ge扩散的绝缘区；以及
存在于所述绝缘区顶上的显著驰豫的SiGe层，其中所述显著驰豫的SiGe层具有2000nm或者更小的厚度、30％或者更大的测量驰豫值和5×106或者更小的缺陷密度。
2.权利要求1的衬底材料，其中所述绝缘区是经布图的。
3.权利要求1的衬底材料，其中所述绝缘区是未布图的。
4.权利要求1的衬底材料，其中所述绝缘区包括结晶的或非晶氧化物、或者结晶的或非晶氮化物。
5.权利要求1的衬底材料，其中所述绝缘区是布图的或者未布图的掩埋氧化物区。
6.一种异质结构，包括：
含Si衬底；
存在于含Si衬底顶上抗Ge扩散的绝缘区；
存在于绝缘区顶上的基本上驰豫的SiGe层，其中该显著驰豫的SiGe层具有2000nm或者更小的厚度、30％或者更大的测量驰豫值和5×106或者更小的缺陷密度；和
形成在显著驰豫的SiGe层顶上的应变Si层。
7.权利要求6的异质结构，其中所述绝缘区是经布图的。
8.权利要求6的异质结构，其中所述绝缘区是未布图的。
9.权利要求6的异质结构，其上所述绝缘区包括结晶的或者非晶氧化物，或者结晶的或者非晶氮化物。
10.权利要求6的异质结构，其中所述绝缘区阻挡层是布图的或者未布图的掩埋氧化物区。
11.权利要求6的异质结构，其中在所述应变Si层的顶上形成驰豫的SiGe和应变Si的交替层。
12.权利要求11的异质结构，其中用选自III/V化合物半导体的晶格失配化合物代替所述应变的Si层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
