[发明专利]被加工物的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种被加工物的加工方法。进而涉及由该方法获得的半导体装置。本发明的被加工物的加工方法尤其适用于硅半导体、化合物半导体晶圆、半导体封装件、玻璃等被加工物。

背景技术

在半导体装置的制造方法中具有下述工序：首先，在半导体晶圆的电路形成面上贴合保护片之后，对半导体晶圆的背面进行研磨等加工。在实施该工序之后，将半导体晶圆转印到切割用粘着片上，对半导体晶圆进行切割。在剥离保护片后将半导体晶圆单体贴合到半导体晶圆间的切割用粘着片上，或者在由保护片支承半导体晶圆的状态下将半导体晶圆贴合在半导体晶圆间的切割用粘着片上。作为上述切割用粘着片例如如日本特开2001-234136号公报所公示。

但是，在半导体晶圆逐渐薄化、脆弱化的近年来，该半导体晶圆变得容易破损。因此，根据上述方法，即使贴合在切割用粘着片上的半导体晶圆产生翘起，矫正该翘起也较为困难。若难以矫正翘起，则使半导体晶圆吸附在吸附台上时，有时不能使该半导体晶圆紧密贴合在该吸附台上而出现吸附错误。另外，由于输送中微小的冲击导致半导体晶圆破损的情况也变得显著。因此，从保护半导体晶圆的方面考虑，研究如下这样的所谓台座方式，即、通过双面粘着片将支承片等机械强度较大的支承板贴合在半导体晶圆上，增强半导体晶圆的机械强度的同时，将该半导体晶圆转印到切割用粘着片上。在台座方式中，由于需要用低应力从半导体晶圆上剥离双面粘着片，  因此，通常双面粘着片采用热剥离型或者辐射线固化型材料。

使用热剥离型或者辐射线固化型的双面粘着片时，在剥离该双面粘着片时，对双面粘着片进行加热或者照射辐射线，降低双面粘着片的粘着力，使剥离变得容易。

但是，由于以往的切割用粘着片的耐热性差，所以通过热(在照射辐射线时为辐射线辐射热)会增大切割用粘着片的粘着力。因此，存在切割后半导体芯片的拾取变得困难，还残留粘浆的问题。

发明内容

本发明是为解决上述以往问题而作出的，其目的在于提供一种使用了在对半导体晶圆等被加工物进行转印、切割时表现出足够的粘着性、在拾取半导体芯片等被加工物小片时表现出易剥离性的、耐热性优良的切割用粘着片的被加工物加工方法以及由该方法获得的半导体装置。

本申请发明人为了解决上述问题，对被加工物的加工方法以及由该方法获得的半导体装置进行了研究。其结果发现，可以通过采用下述构成来达到上述目的，以至完成了本发明。

即，为了解决上述问题，本发明的被加工物的加工方法，包括如下工序：在切割用粘着片上贴合通过具有热剥离型或辐射线固化型粘着层的双面粘着片固定在支承板上的被加工物的工序；对上述双面粘着片进行加热或者照射辐射线而从上述被加工物剥离该双面粘着片的工序；对贴合有上述切割用粘着片的上述被加工物进行切割而形成被加工物小片的工序；以及对上述被加工物小片进行拾取的工序，上述切割用粘着片是在基材膜上至少设置粘着剂层而构成的，上述切割用粘着片使用如下这样的粘着剂层：上述粘着剂层含有丙烯酸类聚合物，且粘着剂层的厚度为1～50μm，其中，该丙烯酸类聚合物含有5重量％以上的在侧链上具有烷氧基的单体。

在上述方法中使用的切割用粘着片具有含丙烯酸类聚合物的粘着剂层，其中，该丙烯酸类聚合物含有5重量％以上的在侧链上具有烷氧基的单体。若为上述构成的粘着剂层，则即使由于在从被加工物剥离双面粘着片时进行加热或者照射辐射线而被加热(在照射辐射线时为辐射线辐射热)，也可以抑制粘着力的增大。虽然其机理未必明确，但是可以看出其原因为，通过丙烯酸类聚合物以及稍微表面偏析的低分子量成分的玻璃化转变点高温位移，可以提高内聚力等。因此，由于在拾取被加工物小片时表现出良好的剥离性，减少发生拾取不良，所以，变得可以成品率较高地制作半导体装置。

另外，由于切割用粘着片的粘着剂层厚度为1～50μm，因此，可以抑制切割被加工物时产生的振动的振幅变大，减少发生在被加工物小片上产生破片(碎屑)。另一方面，通过将粘着剂层的厚度设定为1μm以上，可以可靠地保持被加工物，从而使被加工物在切割时不容易剥离。

优选是上述粘着剂层含有5重量％以上的在侧链上具有氮的单体。

优选是上述粘着剂层表面相对于水的接触角为90度以下。

上述方法所使用的切割用粘着片的粘着剂层，由于具有相对于水的接触角处于上述范围内的物性，因此，具有在切割时可靠固定被加工物的粘着力、以及在拾取时可以容易剥离的剥离性。因此，若为使用上述切割用粘着片的上述方法，则可以进一步提高成品率。