[发明专利]半导体结构制造方法和其制造的半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

(a)衬底；

(b)第一器件和第二器件，均在所述衬底上；

(c)器件帽介质层，在所述第一和第二器件的顶上和在所述衬底的顶上，其中所述器件帽介质层包括器件帽介质材料；

(d)第一介质层，在所述器件帽介质层的顶上，其中所述第一介质层包括第一介质材料；

(e)第二介质层，在所述第一介质层的顶上，其中所述第二介质层包括第二介质材料；以及

(f)第一导电线路和第二导电线路，均位于所述第一和第二介质层中，

其中所述第一介质层将所述第一和第二导电线路与所述器件帽介质层物理隔离，和

其中所述第一介质材料的介电常数小于所述器件帽介质材料的介电常数。

2.根据权利要求1的结构，其中所述第二介质材料的介电常数与所述第一介质材料的介电常数不同。

3.根据权利要求1的结构，其中所述第二介质材料的介电常数与所述第一介质材料的介电常数相同。

4.根据权利要求1的结构，其中所述第一介质材料包括选自FSG(掺杂氟的硅酸盐玻璃)、体SiCOH(掺杂碳的氧化硅)、和多孔SiCOH的材料。

5.根据权利要求1的结构，其中所述第一和第二导电线路包括铜。

6.根据权利要求1的结构，其中所述器件帽介质层包括BPSG(硅酸硼磷玻璃)。

7.根据权利要求1的结构，还包括均位于所述器件帽介质材料中的第一接触区域和第二接触区域，

其中所述第一接触区域将所述第一导电线路电耦合至所述第一器件，和

其中所述第二接触区域将所述第二导电线路电耦合至所述第二器件。

8.根据权利要求7的结构，其中所述第一和第二接触区域包括钨。

9.根据权利要求1的结构，还包括第一帽层，其中所述第一帽层在(i)所述第一和第二导电线路和(ii)所述第二介质层的顶上，并与(i)所述第一和第二导电线路和(ii)所述第二介质层直接物理接触。

10.根据权利要求9的结构，其中所述第一帽层包括选自碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、和硅碳氮化物(SiCN)的材料。

11.根据权利要求9的结构，还包括第二帽层，其中所述第二帽层夹在所述第一和第二介质层之间。

12.根据权利要求11的结构，其中所述第二帽层包括选自碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、和硅碳氮化物(SiCN)的材料。

13.根据权利要求1的结构，其中所述第一介质层与所述第二介质层直接物理接触。

14.一种半导体结构制造方法，包括以下步骤：

提供一种半导体结构，其包括：

(a)衬底，

(b)第一器件和第二器件，均在所述衬底上，

(c)器件帽介质层，在所述第一和第二器件的顶上和在所述衬底的顶上，其中所述器件帽介质层包括器件帽介质材料，

(d)第一介质层，在所述器件帽介质层的顶上，其中所述第一介质层包括第一介质材料，以及

(e)第二介质层，在所述第一介质层的顶上，其中所述第二介质层包括第二介质材料；以及

形成均位于所述第一和第二介质层中的第一导电线路和第二导电线路，

其中所述第一介质层将所述第一和第二导电线路与所述器件帽介质层物理隔离，和

其中所述第一介质材料的介电常数小于所述器件帽介质材料的介电常数。

15.根据权利要求14的方法，其中所述第二介质材料的介电常数与所述第一介质材料的介电常数不同。

16.根据权利要求14的方法，其中所述第二介质材料的介电常数与所述第一介质材料的介电常数相同。

17.根据权利要求14的方法，其中所述第一介质材料包括选自FSG(掺杂氟的硅酸盐玻璃)、体SiCOH(掺杂碳的氧化硅)、和多孔SiCOH的材料。