[发明专利]半导体装置的制法及其用于该制法的承载件无效
| 申请号： | 200710135989.7 | 申请日： | 2007-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101266933A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 洪敏顺;蔡和易;黄建屏;曾文聪;萧承旭 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/66;H01L23/12;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制法 及其 用于 承载 | ||
1. 一种半导体装置的制法，包括下列步骤：
将接置有芯片的基板设置于一承载件的开口中，该开口略大于该基板，以在该基板与承载件间形成一间隙，且在开口的周缘形成有至少一贮存孔及至少一与该贮存孔间隔开的检知孔；
将胶料注入该贮存孔，以通过该间隙所提供的毛细现象，使胶料充填于间隙及检知孔中，并检视该检知孔中是否充填有胶料；
形成一封装胶体以覆盖芯片、基板与间隙的全部及承载件的一部分；以及
切割该封装胶体及基板以形成一具所欲尺寸的半导体装置。
2. 根据权利要求1所述的制法，其中，该贮存孔尺寸大于该检知孔尺寸。
3. 根据权利要求1所述的制法，其中，该检知孔的半径或长边约为间隙的宽度的3至10倍。
4. 根据权利要求1所述的制法，其中，该检知孔形成于该开口的角隅或侧边。
5. 根据权利要求1所述的制法，其中，该检知孔的半径或长边约为0.15至2.0mm，并以1.0mm为宜。
6. 根据权利要求1所述的制法，其中，检知孔设于相邻贮存孔的中间位置。
7. 根据权利要求1所述的制法，其中，该芯片以覆晶方式电性连接至该基板。
8. 根据权利要求1所述的制法，其中，该胶料选自拒焊剂及环氧树脂的其中一者。
9. 根据权利要求1所述的制法，其中，该胶料用以将基板定位于承载件的开口中，并使该基板与承载件间的间隙为该胶料所完全充填。
10. 根据权利要求1所述的制法，复包括一植球作业，于该切割作业之前或之后进行，以将多颗焊球焊设至该基板的背面上。
11. 一种用于制造半导体装置的承载件，该承载件为一片体结构，包括：
至少一开口；
至少一形成于该开口的周缘上的贮存孔；以及
至少一形成于该开口的周缘上的检知孔，其中，该贮存孔大于该检知孔，且该检知孔与该贮存孔间隔开。
12. 根据权利要求11所述的承载件，其中，该检知孔的半径或长边约为0.15至2.0mm，并以1.0mm为宜。
13. 根据权利要求11所述的承载件，其中，该检知孔设于相邻贮存孔的中间位置。
14. 根据权利要求11所述的承载件，其中，该检知孔形成于该开口的角隅或侧边上。
15. 根据权利要求11所述的承载件，其中，该开口用以容置半导体装置，且该半导体装置及该承载件开口间形成有间隙，以供胶料注入该贮存孔，并通过该间隙所提供的毛细现象，使胶料充填于间隙及检知孔中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
