[发明专利]升降销、用于加工基板的装置以及加工基板的方法

说明书

相关申请交叉参考

根据35USC§119，本申请要求于2006年12月22日提交的第2006-132393号韩国专利申请的优先权，其全部内容合并于此作为参考。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种升降销、用于加工基板的装置以及加工基板的方法。更具体地说，本发明的示例性实施例涉及一种用于沿预定方向移动基板以将基板放置在卡盘上的升降销、包含所述升降销的用于加工基板的装置，以及使用所述装置加工基板的方法。

背景技术

通常通过诸如用于形成层的沉积工艺、光学处理(photoprocess)、光刻工艺、扩散工艺等一系列工艺制造半导体元件。至于用于在基板上形成层的沉积工艺，已研发出多种工艺，例如溅射工艺、电镀工艺、蒸发工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、分子束外延工艺、原子层沉积(ALD)工艺等。

由于CVD工艺提供了具有卓越特征的层，因此CVD工艺已广泛用于在基板上形成期望层。CVD工艺通常包括低压化学气相沉积(LPCVD)工艺、常压化学气相沉积(APCVD)工艺、低温化学气相沉积(LTCVD)工艺、等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺等。

传统化学气相沉积(CVD)装置通常包括腔室、静电卡盘(ESC)、喷头、以及升降销。其中形成有层的基板装载在腔室中。该基板被安放在安置于腔室中的ESC上。喷头定位在ESC上方以便向基板上提供反应气体。升降销被插入到穿过ESC竖直形成的通路中，以使基板沿向上方向或向下方向移动。例如，在第2005-42965号韩国公开专利公布中公开了具有升降销的传统CVD装置。

传统CVD装置中的升降销在穿过ESC形成的通路中上下移动，因此升降销具有小于通路直径的直径。特别地，由于传统CVD装置的升降销具有恒定的直径，从而在升降销与通路的内表面之间产生间隙。因此，当在基板上形成层时，用于形成层的反应气体通过该间隙流入到通路中。另外，反应副产物通过在升降销与通路之间的该间隙流入到通路中。因此，在通路的内表面上形成了不希望出现的层。形成在通路上的该不希望出现的层可能充当了导致半导体元件各种故障的微粒。而且，不希望出现的层连续不断地形成在通道的内表面上，因而通路的直径不断地减小，从而防止了升降销上下移动。

发明内容

本发明的示例性实施例提出了一种能够防止反应气体向卡盘的通路流入的升降销。

本发明的示例性实施例提出了一种用于加工基板的装置，该装置包括能够防止反应气体向卡盘的通路流入的升降销。

本发明的示例性实施例提出了一种使用上述装置加工基板的方法，该装置包括能够防止反应气体向卡盘的通路流入的升降销。

根据本发明的一个方面，提出了一种升降销，其包括杆部和头部。该杆部可以在穿过卡盘形成的通路中移动，该卡盘上具有使用反应气体加工的物体(object)。该头部可以设在杆部上，以与该物体接触。该头部可以封闭通路，以防止反应气体流入到通路中。

在本发明的示例性实施例中，该头部可以具有与卡盘通路的顶面相接触的下部。

在本发明的示例性实施例中，容纳凹槽可以设在卡盘上以容纳头部。这里，头部可以具有与容纳凹槽的内表面相隔开的侧部，该容纳凹槽与通路相通。

在本发明的示例性实施例中，容纳凹槽可以设在卡盘上以容纳头部。这里，头部可以具有与容纳凹槽的内表面接触的侧面，该容纳凹槽与通路相通。

在本发明的示例性实施例中，该头部的上部可以基本上小于该头部的下部。例如，该头部可以具有拱形横截面、半圆形横截面、三角形横截面、矩形横截面、梯形横截面或漏斗形横截面。

根据本发明的另一个方面，提供了一种用于加工基板的装置。该装置包括腔室、卡盘、喷头、以及升降销。该腔室可以将基板容纳于其中。卡盘可以设置在腔室中以支撑基板。卡盘可以具有基本上沿垂直于基板的方向形成的通路。喷头可以设置在卡盘上方以便向基板上提供反应气体。升降销可以设置在通路中，以使基板沿向上方向和向下方向移动。升降销可以包括在通路中移动的杆部和形成在杆部上以防止反应气体流入到通路中的头部。

在本发明的示例性实施例中，升降销的头部的上部可以基本上小于该头部的下部。该头部可以具有拱形横截面、半圆形横截面、多边形横截面或漏斗形横截面。

在本发明的示例性实施例中，卡盘可以具有容纳凹槽，头部容纳在该容纳凹槽中。容纳凹槽具有的深度可以基本上与头部的厚度相同或大于该厚度。容纳凹槽可以具有与头部的侧面接触的内表面。可替换地，容纳凹槽可以具有与头部的侧面相隔开的内表面。