[发明专利]升降销、用于加工基板的装置以及加工基板的方法无效
申请号: | 200710135863.X | 申请日: | 2007-07-30 |
公开(公告)号: | CN101205606A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 郑淳彬 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01L21/68 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升降 用于 加工 装置 以及 方法 | ||
1.一种升降销,包括:
杆部,所述杆部在穿过卡盘而形成的通路中移动,所述卡盘上具有使用反应气体加工的物体;以及
头部,所述头部设在所述杆部上,以便与所述物体接触,其中,所述头部封闭所述通路,以防止反应气体流入到所述通路中。
2.根据权利要求1所述的升降销,其中,所述头部具有与所述卡盘的所述通路的顶面相接触的下部。
3.根据权利要求1所述的升降销,其中,容纳凹槽设在所述卡盘上,以容纳所述头部,并且所述头部具有与所述容纳凹槽的内表面相隔开的侧面,所述容纳凹槽与所述通路相通。
4.根据权利要求1所述的升降销,其中,容纳凹槽设在所述卡盘上,以容纳所述头部,并且所述头部具有与所述容纳凹槽的内表面相接触的侧面,所述容纳凹槽与所述通路相通。
5.根据权利要求1所述的升降销,其中,所述头部的上部基本上小于所述头部的下部。
6.根据权利要求5所述的升降销,其中,所述头部具有拱形横截面、半圆形横截面、三角形横截面、矩形横截面、梯形横截面、或漏斗形横截面。
7.一种用于加工基板的装置,所述装置包括:
腔室,用于容纳基板;
卡盘,所述卡盘设置在所述腔室中,以支撑所述基板,其中所述卡盘具有沿基本上垂直于所述基板的方向形成的通路;
喷头,所述喷头设置在所述卡盘上方,以便向所述基板上提供反应气体;以及
升降销,所述升降销设置在所述通路中,以使所述基板沿向上方向和向下方向移动,其中,所述升降销包括在所述通路中移动的杆部和形成在所述杆部上以防止所述反应气体流入到所述通路中的头部。
8.根据权利要求7所述的用于加工基板的装置,其中,所述升降销的头部的上部基本上小于所述头部的下部。
9.根据权利要求8所述的用于加工基板的装置,其中,所述头部具有拱形横截面、半圆形横截面、多边形横截面、或漏斗形横截面。
10.根据权利要求7所述的用于加工基板的装置,其中,所述卡盘具有容纳凹槽,所述头部容纳在所述容纳凹槽中。
11.根据权利要求10所述的用于加工基板的装置,其中,所述容纳凹槽具有的深度基本上与所述头部的厚度相同或大于所述厚度。
12.根据权利要求10所述的用于加工基板的装置,其中,所述容纳凹槽具有与所述头部的侧面相接触的内表面。
13.根据权利要求10所述的用于加工基板的装置,其中,所述容纳凹槽具有与所述头部的侧面相隔开的内表面。
14.根据权利要求7所述的用于加工基板的装置,其中,所述卡盘包括静电卡盘。
15.根据权利要求7所述的用于加工基板的装置,其中,所述腔室包括化学气相沉积(CVD)腔室。
16.一种加工基板的方法,所述方法包括:
将基板装载于腔室中;
使用升降销将所述基板安放在卡盘上,所述升降销在穿过所述卡盘而形成的通路中移动;
由所述升降销的头部封闭所述通路;
使用反应气体在所述腔室中加工所述基板;以及
从所述腔室中去除在加工所述基板期间产生的反应副产物。
17.根据权利要求16所述的加工基板的方法,其中,加工所述基板的步骤包括:
将所述反应气体引入到所述腔室中;以及
从所述反应气体中产生等离子,以在所述基板上形成层。
18.根据权利要求16所述的加工基板的方法,还包括:
使用所述升降销使得所述基板从所述卡盘处向上移动;以及
将所述基板从所述腔室中卸下。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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