[发明专利]宽带双L形波导窄边缝隙天线阵

权利要求书

1.宽带双L形波导窄边缝隙天线阵，包括辐射波导、馈电波导和同轴连接器，所述同轴连接器通过金属匹配块设于馈电波导下部，其特征在于：

所述辐射波导为横截面为倒L形的波导管；所述馈电波导为横截面为L形的波导管，且位于辐射波导下部，辐射波导和馈电波导对应配合的横截面呈矩形；

所述辐射波导窄边等间距设置至少四条辐射缝隙，每条辐射缝隙两边分别设有矩形金属膜片；相邻辐射缝隙之间间距为0.5λ_g0，λ_g0为中心频率波导波长；

所述辐射波导和馈电波导的公共波导壁上设有两条“工”字形耦合缝；

所述辐射缝隙终端距离最后一个辐射缝隙0.25λ_g0距离处短路；

所述馈电波导终端距离耦合缝隙0.5λ_g0距离处短路；

所述天线阵分成两个相同的子阵。

2.根据权利要求1所述的宽带双L形波导窄边缝隙天线阵，其特征在于：所述辐射缝隙为垂直于辐射波导纵向轴线的直缝，辐射缝隙长约为0.5λ₀，λ₀是中心频率自由空间波长，缝宽范围为十分之一至八分之一辐射缝隙长。

3.根据权利要求1所述的宽带双L形波导窄边缝隙天线阵，其特征在于：所述矩形金属膜片的高度为d～(a1-a3-t)，宽度为0.2b1～0.5b1；

其中辐射缝隙深度d，辐射波导高度a1，辐射波导与馈电波导重叠高度a3，波导壁厚t，辐射波导上壁宽度b1。

4.根据权利要求1所述的宽带双L形波导窄边缝隙天线阵，其特征在于：所述“工”字形耦合缝完全切割辐射与馈电波导之间的公共波导壁，中间细长部分宽度为0.048λ₀～0.08λ₀；上下部分紧贴于两侧波导壁，宽度为0.096λ₀～0.192λ₀，高度为0.064λ₀～0.096λ₀。

5.根据权利要求1所述的宽带双L形波导窄边缝隙天线阵，其特征在于：

所述辐射波导窄边等间距设置16条辐射缝隙，16条辐射缝隙天线阵分成相同的两个辐射子阵，每个辐射子阵中距离最后一个辐射缝隙0.25λ_g0距离处短路，构成两个独立的谐振式天线子阵，每个辐射子阵的辐射波导和馈电波导之间设有“工”字形耦合缝隙。

6.根据权利要求1所述的宽带双L形波导窄边缝隙天线阵，其特征在于：所述的同轴连接器为SMA同轴接头，或N型接头。

7.根据权利要求1所述的宽带双L形波导窄边缝隙天线阵，其特征在于：所述辐射波导和馈电波导的材料为金属材料、或表面镀金属的复合材料。