[发明专利]提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法

权利要求书

1.提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其特征是

1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH₄)和氨气(NH₃)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a-SiNx薄膜，SiH₄与NH₃的流量比控制在0.5-1之间，薄膜厚度60-100nm；

2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：在衬底温度为95-105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a-SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10-30min；形成富硅的掺氧a-SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。

2.根据权利要求1所述的提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其特征是发光器件的电极制备方法：对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝)薄膜作为阴极，以ITO为阳极的一端为光出射端。

3.根据权利要求1所述的提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其特征是利在ITO玻璃衬底上淀积富硅的a-SiNx薄膜。制备时的具体工艺条件如下：

功率源频率：  13.56MHz

功率密度：    0.6W/cm²

反应腔压力：  80Pa

衬底温度：    25℃

SiH₄流量为8sccm，NH₃流量为8sccm，淀积时间为130s，薄膜厚度为80nm。

4.根据权利要求1所述的提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其特征是氧等离子体源氧化室温生长的富硅的a-SiNx薄膜的具体条件：

功率源频率：          13.56MHz

功率密度：            0.6W/cm²

反应腔压力：          40Pa

衬底温度：            100℃

O₂流量：              27sccm

氧等离子体处理时间：  20min。

5.根据权利要求1所述的提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其特征是发光器件的电极制备是采用热蒸发技术，对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀1层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，器件结构如图1所示，其中以ITO为阳极的1端为光出射端。

6.根据权利要求1所述的提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其特征是电极制备的具体工艺条件为：蒸发电流3.5A，蒸发时间25s，电极厚度1μm。