[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

权利要求书

1、一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

多个数据线，配置在所述基板上；

层间绝缘层，配置在所述数据线上并且包括使所述数据线露出的接触孔；

多个源电极，每个源电极配置在所述层间绝缘层上并且通过所述接触孔中的一个连接到所述数据线中的一个；

多个像素电极，每个像素电极配置在所述层间绝缘层上并且包括面对源电极的漏电极；

有机半导体，配置在所述源电极和所述漏电极上并且与所述源电极和漏电极部分交叠；

栅绝缘层，配置在所述有机半导体上；以及

栅线，配置在所述栅绝缘层上并且包括与所述有机半导体交叠的栅电极。

2、根据权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中所述栅绝缘层和所述栅线具有实质上相同的平面图案。

3、根据权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中所述栅绝缘层覆盖每个有机半导体的侧表面。

4、根据权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中互相面对的源电极的侧面和漏电极的侧面曲折。

5、根据权利要求4的薄膜晶体管阵列面板，其中所述有机半导体配置在面对的漏电极和源电极之间并且与所述层间绝缘层接触。

6、根据权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，还包括配置在基板上并且与有机半导体交叠的遮光部件。

7、根据权利要求6的薄膜晶体管阵列面板，其中所述有机半导体的外边界之间的距离小于所述遮光部件的外边界之间的距离。

8、根据权利要求6的薄膜晶体管阵列面板，其中所述遮光部件由与数据线相同的材料制成。

9、根据权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，还包括配置在与栅线相同的层上的存储电极线。

10、一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：

在基板上形成数据线；

在所述数据线上形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成像素电极和连接到所述数据线的源电极，像素电极和源电极的侧表面互相面对；

在所述源电极和所述像素电极上形成有机半导体，所述有机半导体在互相面对的像素电极和源电极的所述侧表面之间；以及

在所述有机半导体上形成栅绝缘层和栅线。

11、根据权利要求10的方法，其中形成栅绝缘层和栅线包括：

在有机半导体上层叠绝缘层和金属层；以及

同时对金属层和绝缘层进行构图。

12、根据权利要求10的方法，其中形成有机半导体包括使用荫罩板。

13、根据权利要求10的方法，其中形成源电极和像素电极包括：

在室温下形成ITO层；以及

在所述ITO层上执行光刻工艺。

14、一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

配置在所述基板上的源电极；

面对所述源电极的漏电极；

半导体，配置在所述源电极和所述漏电极上并且与所述源电极和漏电极部分交叠；

配置在所述半导体上的栅绝缘层；以及

栅线，配置在所述栅绝缘层上并且包括与所述半导体交叠的栅电极，

其中所述栅绝缘层和所述栅线具有实质上相同的平面图案。

15、根据权利要求14的薄膜晶体管阵列面板，其中所述半导体配置在面对的漏电极和源电极之间。

16、根据权利要求15的薄膜晶体管阵列面板，还包括配置在所述源电极和漏电极之下的层间绝缘层，所述半导体接触所述层间绝缘层。

17、根据权利要求16的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在所述层间绝缘层下的数据线以及所述源电极电连接到所述数据线。

18、根据权利要求14的薄膜晶体管阵列面板，其中所述半导体是有机半导体。

19、根据权利要求14的薄膜晶体管阵列面板，其中所述源电极和所述漏电极为透明导电层。