[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。

背景技术

平板显示器，例如液晶显示器(“LCD”)、有机发光二极管(“OLED”)显示器、电泳显示器等，包括多对场产生电极(field generating electrodes)以及插入其间的电光有源层。LCD包括作为电光有源层的液晶层，和OLED显示器包括作为电光有源层的有机发光层。

场产生电极对中的一个连接至开关元件并且接收电信号。电光有源层将该电信号转换为光信号，从而显示图像。

平板显示器使用薄膜晶体管(“TFT”)作为开关元件，TFT是一个三端元件。平板显示器包括传送扫描信号以控制TFT的栅线和传送施加于像素电极上的信号的数据线。

形成TFT的半导体通常由硅形成。已经积极地研究采用有机材料的有机薄膜晶体管(“OTFT”)来代替硅。

薄膜晶体管的特性受到有机半导体与栅绝缘层之间的接触特性的影响。在采用底栅的情况下，由于有机半导体与栅绝缘层之间的接触特性根据源漏电极的锥角变化，所以薄膜晶体管的特性不稳定。

发明内容

一个示意性的实施例提供了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，其具有稳定地保持有机半导体和栅绝缘层之间的接触特性而不受源漏电极的锥角的影响的优点。

一个示意性的实施例提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；配置在所述基板上的多条数据线；层间绝缘层，配置在所述数据线上并且包括使所述数据线露出的接触孔；多个源电极，所述源电极中的每一个都配置在所述层间绝缘层上并且通过接触孔连接到数据线；多个像素电极，所述像素电极中的每一个都配置在所述层间绝缘层上并且包括面向所述源电极的漏电极；有机半导体，配置在所述源电极和所述漏电极上并且部分重叠所述源电极和所述漏电极；栅绝缘层，配置在所述有机半导体上；和栅线，配置在栅绝缘层上并且包括重叠所述有机半导体的栅电极。

在一示意性实施例中，栅绝缘层和栅线可具有实质上相同的平面图案。

在一示意性实施例中，栅绝缘层可覆盖每一有机半导体的侧表面。

在一示意性实施例中，互相面向的源电极的侧面和漏电极的侧面可以曲折。有机半导体可以配置在面对的源和漏电极之间以及可接触层间绝缘层。

在一示意性实施例中，还可包括配置在基板上并且重叠有机半导体的遮光部件。

在一示意性实施例中，还可包括配置在与栅线相同的层上的存储电极线。

一示意性实施例提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，所述方法包括：在基板上形成数据线，在所述数据线上形成层间绝缘层，在所述层间绝缘层上形成像素电极和连接到所述数据线的源电极，在所述源电极和像素电极上形成有机半导体，以及在所述有机半导体上形成栅绝缘层和栅线。所述像素电极和源电极的侧表面互相面对。所述有机半导体可以配置在所述相面对的侧表面之间。

在一示意性实施例中，形成栅绝缘层和栅线可以包括在有机半导体上层叠绝缘层和金属层，和同时对所述金属层和绝缘层进行构图。

在一示意性实施例中，形成有机半导体可以包括使用荫罩板。

在一示意性实施例中，形成源电极和像素电极可以包括在室温下形成ITO层，并且在所述ITO层上执行光刻工艺。

一示意性实施例提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；配置在所述基板上的源电极；面向所述源电极的漏电极；半导体，配置在所述源电极和漏电极上并且面向所述源电极和漏电极；栅绝缘层，配置在所述半导体上；以及栅线，配置在所述栅绝缘层上并且包括重叠所述半导体的栅电极。所述栅绝缘层和所述栅线可以具有实质上相同的平面图案。

在一示意性实施例中，半导体可以配置在相面向的漏和源电极之间。薄膜晶体管阵列面板还可包括配置在漏和源电极下的层间绝缘层，其中所述半导体接触所述层间绝缘层。

在一示意性实施例中，半导体可以是有机半导体。

在一示意性实施例中，源电极可以电连接到数据线。

在一示意性实施例中，源电极和漏电极可以是透明导电层。

附图说明

图1为根据本发明的薄膜晶体管阵列面板的示意性实施例的平面图；

图2为图1中薄膜晶体管阵列面板沿着线II-II的剖视图；

图3、5和7为示出了根据本发明的制造薄膜晶体管阵列面板的方法的示意性实施例的中间步骤的平面图；

图4为图3中薄膜晶体管阵列面板的一示意性实施例的沿着线IV-IV的剖视图；

图6为图5中薄膜晶体管阵列面板的一示意性实施例的沿着线VI-VI的剖视图；