[发明专利]包括虚拟字线的非易失性存储器件及相关结构和方法

说明书

相关申请

根据35 U.S.C.§119，本美国非临时专利申请要求2006年7月11日申请的韩国专利申请号10-2006-0065040的优先权，因此这里将其公开内容全部引入供参考。

技术领域

本发明总体上涉及电子设备，更具体地讲涉及电存储器件及相关方法。

背景技术

在NOR-型结构或NAND-型结构中可以提供非易失性存储器件，如快闪存储器件。例如，NOR-型快闪存储器件可以提供较快速的随机存取，而NAND-型快闪存储器件可以提供较低成本和/或较高的集成度。因此NOR-型快闪存储器件可以用于代码储存器存储，而NAND-型快闪存储器件可以用于海量存储器存储。

例如，在Hasama等人的，名称为″Nonvolatile SemiconductorMemory Device Having Configuration Of NAND Strings With DummyMemory Cells Adjacent To Select Transistors″的第7,079,437号美国专利中，论述了NAND-型非易失性半导体存储器件。更具体地讲地说，Hasama等人论述了具有串联连接在一起的多个电可重写非易失性存储单元的非易失性半导体存储器件。选择栅晶体管与存储单元的串联组合串联连接，并且位于该选择栅晶体管附近的存储单元是虚拟单元，该虚拟单元不用于数据存储。在数据擦除操作过程中，与被施加到其他存储单元相同的偏压也被施加到该虚拟单元。

尽管已知非易失性存储器件，但是对于提供更高度集成的存储器件的结构和方法的技术仍然存在需要。

发明内容

根据本发明的某些实施例，一种非易失性存储器件可以包括：半导体衬底，该半导体衬底包括在其表面的有源区；以及有源区上的第一和第二存储单元串。该第一存储单元串可以包括与在第一接地选择线和第一串选择线之间的有源区相交叉的第一多个字线，以及在该第一多个字线的相邻字线之间可以提供几乎相同的第一间隔。第二存储单元串可以包括与在第二接地选择线和串选择线之间的有源区相交叉的第二多个字线，以及在该第二多个字线的相邻字线之间可以提供几乎相同的第一间隔。第一接地选择线可以在第二接地选择线和该第一多个字线之间，以及第二接地选择线可以在第一接地选择线和该第二多个字线之间。第一和第二接地选择线之间的部分有源区可以没有字线，第一和第二接地选择线之间的第二间隔可以大于第一间隔约3倍。

第二间隔可以在大于第一间隔约3至4倍的范围内。第二间隔可以大于第一间隔的3倍以上，更具体地讲，第二间隔可以大于第一间隔至少约4倍。

该第一多个字线可以包括偶数的存储单元字线、以及在该偶数的存储单元字线的第一字线和该第一接地选择线之间的虚拟字线。以及在该接地选择线和虚拟字线之间可以提供几乎相同的第一间隔，以及在该虚拟字线和偶数存储单元字线的第一字线之间可以提供几乎相同的第一间隔。而且，在该偶数存储单元字线的最后字线和该串选择线之间可以提供几乎相同的第一间隔。

该第一多个字线可以包括偶数的存储单元字线、以及在该偶数存储单元字线的第一字线和第一接地选择线之间的虚拟字线。在该虚拟字线和该偶数存储单元字线的第一字线之间可以提供几乎相同的第一间隔，以及在接地选择线和虚拟字线之间可以提供第三间隔。而且，第三间隔可以大于第一间隔且不大于第一间隔的两倍，更具体地讲，第三间隔可以在第一间隔的约1.5倍至约2倍的范围内。

该第一多个字线可以包括偶数的存储单元字线，以及在该接地选择线和该偶数存储单元字线的第一字线之间可以提供至少3倍的第一间隔。在该偶数存储单元字线的最后字线和串选择线之间可以提供约第一间隔，以及该接地选择线和该偶数存储单元字线的第一字线之间的部分有源区可以没有字线。

第一和第二存储单元串的每个存储单元可以包括在各个字线和有源区之间的电荷存储层、以及在该电荷存储层和字线之间的阻挡绝缘层。而且，第一存储单元串的布置相对于第二存储单元串的布置可以具有镜像对称性。