[发明专利]包括虚拟字线的非易失性存储器件及相关结构和方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

半导体衬底，该半导体衬底包括在其表面的有源区；

在该有源区上的第一存储单元串，其中该第一存储单元串包括与在第一接地选择线和第一串选择线之间的有源区相交叉的第一多个字线，其中在该第一多个字线的相邻字线之间提供几乎相同的第一间隔；以及

在该有源区上的第二存储单元串，其中该第二存储单元串包括与在第二接地选择线和第二串选择线之间的有源区相交叉的第二多个字线，其中在该第二多个字线的相邻字线之间提供几乎相同的第一间隔；

其中该第一接地选择线在第二接地选择线和该第一多个字线之间，其中该第二接地选择线在第一接地选择线和该第二多个字线之间，其中该第一和第二接地选择线之间的部分有源区没有字线，以及，其中该第一和第二接地选择线之间的第二间隔大于第一间隔至少约3倍。

2.根据权利要求1的非易失性存储器件，其中该第二间隔在大于第一间隔约3至4倍的范围内。

3.根据权利要求1的非易失性存储器件，其中该第二间隔大于第一间隔的3倍以上。

4.根据权利要求1的非易失性存储器件，其中该第二间隔大于第一间隔至少约4倍。

5.根据权利要求1的非易失性存储器件，其中该第一多个字线包括偶数的存储单元字线以及在偶数的存储单元字线的第一字线和第一接地选择线之间的虚拟字线，其中在该接地选择线和虚拟字线之间提供几乎相同的第一间隔，其中在该虚拟字线和偶数存储单元字线的第一字线之间提供几乎相同的第一间隔，以及其中在偶数存储单元字线的最后字线和串选择线之间提供几乎相同的第一间隔。

6.根据权利要求1的非易失性存储器件，其中该第一多个字线包括偶数的存储单元字线以及在偶数存储单元字线的第一字线和该第一接地选择线之间的虚拟字线，其中在该虚拟字线和偶数存储单元字线的第一字线之间提供几乎相同的第一间隔，其中在该接地选择线和虚拟字线之间提供第三间隔，以及其中该第三间隔大于该第一间隔且不大于该第一间隔的两倍。

7.根据权利要求6的非易失性存储器件，其中该第三间隔在第一间隔的约1.5倍至第一间隔的约2倍的范围内。

8.根据权利要求1的非易失性存储器件，其中该第一多个字线包括偶数的存储单元字线，其中在该接地选择线和偶数存储单元字线的第一字线之间提供第一间隔的至少3倍，其中在该偶数存储单元字线的最后字线和串选择线之间提供大约第一间隔，以及其中在该接地选择线和偶数存储单元字线的第一字线之间的部分有源区没有字线。

9.根据权利要求1的非易失性存储器件，其中该第一和第二存储单元串的每个存储单元包括在相应的字线和有源区之间的电荷存储层、以及在该电荷存储层和字线之间的阻挡绝缘层。

10.根据权利要求1的非易失性存储器件，其中第一存储器单元串的布置相对于第二存储器单元串的布置具有镜像对称性。

11.一种非易失性存储器件，包括：

半导体衬底，该半导体衬底包括在其表面的有源区；

与该有源区相交叉的接地选择线；

与该有源区相交叉的、并与该接地选择线相隔开的串选择线；

与在该接地选择线和串选择线之间的有源区相交叉的多个存储单元字线，其中在该多个字线的相邻字线之间提供几乎相同的第一间隔，其中在该多个存储单元字线的最后字线和该串选择线之间提供第二间隔，以及其中该第二间隔大于该第一间隔且不大于该第一间隔的两倍，以及

在该多个存储单元字线的第一字线和该第一接地选择线之间的虚拟字线，其中在该虚拟字线和该多个存储单元字线的第一字线之间提供约第一间隔，其中在该接地选择线和该虚拟字线之间提供第三间隔，以及其中该第三间隔大于该第一间隔且不大于该第一间隔的两倍。

12.根据权利要求11的非易失性存储器件，其中该第三间隔在该第一间隔的约1.5至第一间隔的约2倍的范围内